HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

  • 分类:公司新闻
  • 作者:航晶微电子
  • 来源:
  • 发布时间:2020-05-11
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航晶微电子研发的HJ393A/B/C耐温温SIC-MOSFET驱动器以其优异的耐压、导通电阻结温和抗电迁移能力,使之特别适应恶劣环境,且较好的解决了第三代SIC-MOSFET驱动器的缺陷。

 
 
 
 
 

 

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