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2022.05.11
HJ8038精密函数发生器全温环境使用方案

客户在使用HJ8038过程中,发现正弦波存在谐波失真的情况,在得知该情况后,我方组织技术人员根据客户提出的问题,对HJ8038产品进行问题复现并研究改善措施,同时在全温环境下,对器件的性能参数进行了进一步的探究。   最终实验研究情况如下:   1、对HJ8038的应用电路进行了优化,如图1和图2所示,通过增加调谐电路对谐波失真进行了改善,使其谐波失真参数满足用户使用要求。   2、实验过程中发现,系统供电电压的变化会直接影响输出波形的幅度大小,测试数据如表1所示,建议用户使用高精度、低温漂的电源电路进行配电。   3、HJ8038自身功耗较大(+15V配电时,IDD=20mA,功耗P=300mW),用户在使用时需要考虑热耗问题,需要配置合适散热器或布局时进行散热处理;   4、通过对HJ8038在-55℃~+125℃的全温环境性能考核(带载15mA)中发现,该器件在全温环境中都能够正常稳定的工作。   产品概述   HJ8038精密函数发生器是采用肖特基势垒二极管等先进工艺制成的单片集成电路芯片,电源电压范围宽、稳定度高、精度高、易于用等优点,外部只需接入很少的元件即可工作,可同时产生方波、三角波和正弦波,其函数波形的频率受内部或外电压控制,可被应用于压控振荡和FSK调制器。可直接替代ICL8038,且该产品已实现全国产化。   特点:   可同时输出任意的三角波、矩形波和正弦波   频率范围:0.001HZ~300kHz   占空比范围:2%~98%   低失真正弦波:5%   低温度漂移:50ppm/℃   三角波输出线性度:0.1%   工作电源:±7V~±14V或者+14V~+28V      电原理框图      封装及引出端功能     采用紫瓷扁平14线封装(F14-01)和紫瓷双列直插14线封装(D14S2)      引出端排列及功能如图8所示: 绝对额定最大值      电特性    除非另有说明,TA=25℃, VS=±10V或+20V,  RL=10kΩ。    实物图    典型应用    1、信号发生器输出频率f=0.33/R·C (R=RA=RB),建议使用高稳定、高精度的电阻、电容;       2、 若出现波形失真的情况,可以通过调节滑动变阻器RT1和RT4的阻值来对波形进行调节;    3、若V+、V-误差/噪声较大,为保证输出的稳定性,建议采用基准源供电。         

HJ8038精密函数发生器全温环境使用方案

客户在使用HJ8038过程中,发现正弦波存在谐波失真的情况,在得知该情况后,我方组织技术人员根据客户提出的问题,对HJ8038产品进行问题复现并研究改善措施,同时在全温环境下,对器件的性能参数进行了进一步的探究。   最终实验研究情况如下:   1、对HJ8038的应用电路进行了优化,如图1和图2所示,通过增加调谐电路对谐波失真进行了改善,使其谐波失真参数满足用户使用要求。   2、实验过程中发现,系统供电电压的变化会直接影响输出波形的幅度大小,测试数据如表1所示,建议用户使用高精度、低温漂的电源电路进行配电。   3、HJ8038自身功耗较大(+15V配电时,IDD=20mA,功耗P=300mW),用户在使用时需要考虑热耗问题,需要配置合适散热器或布局时进行散热处理;   4、通过对HJ8038在-55℃~+125℃的全温环境性能考核(带载15mA)中发现,该器件在全温环境中都能够正常稳定的工作。   产品概述   HJ8038精密函数发生器是采用肖特基势垒二极管等先进工艺制成的单片集成电路芯片,电源电压范围宽、稳定度高、精度高、易于用等优点,外部只需接入很少的元件即可工作,可同时产生方波、三角波和正弦波,其函数波形的频率受内部或外电压控制,可被应用于压控振荡和FSK调制器。可直接替代ICL8038,且该产品已实现全国产化。   特点:   可同时输出任意的三角波、矩形波和正弦波   频率范围:0.001HZ~300kHz   占空比范围:2%~98%   低失真正弦波:5%   低温度漂移:50ppm/℃   三角波输出线性度:0.1%   工作电源:±7V~±14V或者+14V~+28V      电原理框图      封装及引出端功能     采用紫瓷扁平14线封装(F14-01)和紫瓷双列直插14线封装(D14S2)      引出端排列及功能如图8所示: 绝对额定最大值      电特性    除非另有说明,TA=25℃, VS=±10V或+20V,  RL=10kΩ。    实物图    典型应用    1、信号发生器输出频率f=0.33/R·C (R=RA=RB),建议使用高稳定、高精度的电阻、电容;       2、 若出现波形失真的情况,可以通过调节滑动变阻器RT1和RT4的阻值来对波形进行调节;    3、若V+、V-误差/噪声较大,为保证输出的稳定性,建议采用基准源供电。         
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再谈高端开关

在控制系统中,经常会遇到在特定时刻对某一个/多个有效载荷配电。这就需要在电源汇流条下端加开关完成。常见的开关有两种模态,如下图所示:
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光电耦合器选型介绍--弘扬工匠精神铸造航晶品牌之光电耦合器

陕西航晶微电子有限公司成立21周年以来,一直专注于微电子器件的研发与应用,坚持走国产化发展道路,不断适应恶劣的使用环境。公司始终坚持以研发为核心竞争力,通过不断的技术积累与创新,研制生产200余种航晶集成电路。公司始终保证质量控制,保持强劲的竞争力,循序渐进地深化品牌建设与国产化生产。
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仪表放大器有什么用

 1.仪表放大器有什么作用   仪表放大器有时会被错误地理解,不是所有用于仪器仪表的放大器都是仪表放大器,并且所有的仪表放大器决不只用于仪器仪表。仪表放大器最重要功能是能在噪声环境中检测出微弱信号。因为噪声电压通常表现为共模信号,而有用信号则是差分信号,所以利用仪表放大器的高共模抑制特性(CMR),能将有用信号从噪声中提取并放大。另外,在仪表放大器实际应用中的信号源通常具有几千欧(kΩ)甚至更高的输出阻抗,所以要求放大器具有非常高的输入阻抗(通常达到GΩ级),仪表放大器不但能满足这一要求,而且两个输入端的输入阻抗是相等的。仪表放大器的工作频率一般从直流(DC)到大约1MHz之间。在较高频率时,输入电容影响比输入电阻更重要,此时,通常使用差分放大器来处理高速信号,这样虽然提高了速度,但却降低了输入阻抗。
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电子模拟开关的模拟特性和开关特性

许多工程师第一次使用模拟开关,往往会把模拟开关完全等同于机械开关。其实模拟开关虽然具备开关性,但和机械开关有所不同,它本身还具有半导体特性: 模拟开关的模拟特性   (1)导通电阻(Ron)随输入信号(Vin)变化而变化   图1a是模拟开关的简单示意图,由图中可以看出模拟开关的常开常闭通道实际上是由两个对偶的N沟道MOSFET与P沟道MOSFET构成,可使信号双向传输,如果将不同Vin值所对应的P沟道MOSFET与N沟道MOSFET的导通电阻并联,可得到图1b并联结构下Ron随输入电压(Vin)的变化关系,如果不考虑温度、电源电压的影响,Ron随Vin呈线性关系,将导致插入损耗的变化,使模拟开关产生总谐波失真(THD)。此外,Ron也受电源电压的影响,通常随着电源电压的上升而减小。   (2)模拟开关输入有严格的输入信号范围   由于模拟开关是半导体器件,当输入信号过低(低于负电源电压)或者过高(高于正电源电压)时,MOSFET处于反向偏置,当电压达到某一值时(超出限值0.5~4V),此时开关无法正常工作,严重者甚至损坏。因此模拟开关在应用中,一定要注意输入信号不要超出规定的范围。   模拟开关部分电路可以等效成图2   (3)电荷注入   应用机械开关我们当然希望Ron越低越好,因为低阻可以降低信号的损耗。然而对于模拟开关而言,低Ron并非适用于所有的应用,较低的Ron需要占据较大的芯片面积,从而产生较大的输入电容(杂散电容),与构成模拟开关的NMOS和PMOS管相伴的杂散电容引起的一种电荷变化称为“电荷注入”。在每个开关周期其充电和放电过程会消耗更多的电流,而且还会产生正向尖峰和负向尖峰。时间常数t=RC,充电时间取决于负载电阻R和电容C,一般持续几十ns。这说明低Ron具有更长的导通和关断时间。为此,选择模拟开关应该综合权衡Ron和注入电荷。   (4)开关断开时仍会有感应信号漏出   这一特性指的是当模拟开关传输交流信号时,在断开情况下,仍然会有一部分信号通过感应由输入端传到输出端,或者由一个通道传到另一个通道。通常信号的频率越高,信号泄漏的程度越严重。   (5)传输电流比较小   模拟开关不同于机械开关,它通常只能传输小电流,目前CMOS工艺的模拟开关允许连续传输的电流大多小于500mA。   (6)逻辑控制端驱动电流极小   机械开关逻辑控制端的驱动电流往往都是mA级,有时单纯靠数字I/O很难驱动。而模拟开关的逻辑控制端驱动电流极小,一般低于nA级。因此,它完全可以由数字I/O直接驱动,从而达到降低功耗、简化电路的目的。 模拟开关的开关特性     (1)信号可双向传输   有些人习惯于把模拟开关的两个常开常闭端称之为输入端,公共端称之为输出端,其实这只是根据模拟开关的具体应用给予的临时定义。模拟开关大多可以使信号双向传输,如果忽略这一点,就很容易使电路出现问题,比如将电压反向偏置、电流倒灌等。   (2)开关断开后漏电流极小   模拟开关在断开(OFF)时会呈现高阻状态,两传输端间的漏电流极小,一般只有nA级以下,很多模拟开关断开后的漏电流约为1nA。这么微弱的电流在应用中可忽略不计,模拟开关此时可被认为是理想断开的。   模拟开关在断开时的等效电路如图3 总之,模拟开关是具有开关功能的半导体器件,在应用过程中既要充分利用它的开关功能,又要考虑它的半导体特性,否则可能会出现意想不到的麻烦。
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集成电路电浪涌的产生和预防

 器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过载(EOS)损伤或烧毁。下面简聊下集成电路电浪涌的产生和预防。 1. 什么是电浪涌(电过载EOS)     电源电网的波动,电路状态的变化,外来干扰信号的馈入以及旁邻元器件的失效,都会在电路中产生峰值很高的电流或电压脉冲,称为电浪涌(电过载EOS),电浪涌会使器件瞬间工作在超过最大额定值的状态下。电浪涌的平均功率很小,但瞬时功率很大,足以引起器件失效。有时较低功率的浪涌也会引起器件自激或CMOS电路闩锁效应而导致失效。电浪涌引起的失效占集成电路使用失效的50%以上。
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