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*HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET

 

 

一、概述

HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统以及测井等高温环境中。

主要特点有:

漏源电压VDS                -30V

连续漏电流ID               -5.3A

栅电容小                   790pF

开关速度快

极低的导通电阻RDS(ON)      50mΩ

工作温度                   200

 

二、电原理

   

 

三、封装形式及引出端功能

采用 TO-257金属全密封外壳封装,外形尺寸见附录一图22

 

引脚号

1

2

3

功能

G

D

S

 

 

 

 

 (顶视图)

 

四、绝对最大额定值

漏源电压VDS               -30V             栅源电压VGS              ±20

连续电流能力ID(TA=25)     -5.3A             脉冲电流能力IDM           -20A

ID(TA=70)     -4.7A             耗散功率              1500mW

  结温(TJ)                  +200            贮存温度           -55+200

 

 

五、电特性

除非另有说明,TA=+25

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

击穿电压

BVDS

VGS=0, ID=-250μA

36.0

 

 

V

阈值电压

VTH

VDS =VGS, ID=100μA

-1

 

-3

V

漏电流

IGSS

VDS=0V, VGS=±20V

 

 

±100

nA

零栅压漏电流

IDSS

VDS=-30V, VGS=0V

 

 

-1

μA

VDS=-24V, VGS=0V

 

 

-25

μA

导通电阻*

Ron

      VGS=-10VID=-5.3A

 

 

80

      VGS=-4.5VID=-4.2A

 

 

90

正向跨导

gFS

      VDS=-10V, ID=--5.3A

 

10

 

S

二极管正向压降

VSD

IS=-2.6A, VGS=0

 

1.2

 

V

二极管连续电流

IS

      VD= VG=0V, VS=-1.2V

 

-2.08

 

A

开关导通延时时间*

td(on)

输入脉冲:0~10V

VGS=-10V, ID=-1A

VDS=-15VRD=15Ω

RG=6Ω

 

12

 

ns

开关导通上升时间

tr

 

20

 

ns

开关关断延时时间

td(off)

 

45

 

ns

开关关断下降时间

tf

 

47

 

ns

* 脉冲宽度≤300us,占空比≤2%

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