HJ1132八路电平平移电路
HJ1132八路电平平移电路
一、概述
HJ1132是一款八路电平平移电路，可同时实现八路电平平移，八路共用一个基准源，能够将双极性信号转换成单极性信号、方便与单5V供电的ADC或DSP对接，各路均为+1倍的增益。平移一致性好、温漂小并且特性一致。器件由改进的厚膜集成电路工艺制成，避免了高温环境下金-铝键合易产生“紫斑”的缺陷，提高了器件在高温环境下长期使用的可靠性，最高工作温度可达200℃。
二、电原理图
三、封装形式与引出端功能
1．封装形式：采用BOX3020-22双列金属外壳封装，外形尺寸如图所示(单位：mm)。
底视图
2．引出端功能
|
引脚号 |
符号 |
功能 |
引脚号 |
符号 |
功能 |
|
1 |
VREF |
+2.5V基准输出 |
12 |
AIN5
|
AIN5路平移电路输入端 |
|
2 |
VEE |
负电源 |
13 |
Aout5
|
Aout5路平移电路输出端 |
|
3 |
AIN1 |
AIN1路平移电路输入端 |
14 |
AIN6
|
AIN6路平移电路输入端 |
|
4 |
Aout1 |
Aout1路平移电路输出端 |
15 |
Aout6
|
Aout6路平移电路输出端 |
|
5 |
AIN2 |
AIN2路平移电路输入端 |
16 |
AIN7
|
AIN7路平移电路输入端 |
|
6 |
Aout2
|
Aout2路平移电路输出端 |
17 |
Aout7
|
Aout7路平移电路输出端 |
|
7 |
AIN3 |
AIN3路平移电路输入端 |
18 |
AIN8
|
AIN8路平移电路输入端 |
|
8 |
Aout3 |
Aout3路平移电路输出端 |
19 |
Aout8
|
Aout8路平移电路输出端 |
|
9 |
AIN4
|
AIN4路平移电路输入端 |
20 |
NC |
空 |
|
10 |
Aout4
|
Aout4路平移电路输出端 |
21 |
VCC |
正电源 |
|
11 |
GND1 |
模拟地1 |
22 |
GND2 |
模拟地2 |
四、绝对最大额定值
电源电压 ±18V 储存温度 -65～+200℃
引线焊接温度（10s） +300℃ 工作温度范围 -55～+200℃
耗散功率 1000mW
五、电特性
除非另有说明，Vcc=+15V，VEE=-15V，TA=+25℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小 |
典型 |
最大 |
|||||
|
基准源电压 |
VREF |
|
2.495 |
2.50 |
2.505 |
||
|
TA=+200℃ |
2.490 |
|
2.510 |
||||
|
基准电压 温漂系数 |
αVREF |
-55℃≤TA≤+200℃ |
|
15 |
25 |
ppm/℃ |
|
|
直流输出零位 |
Vo |
Vo= VREF（参数同上） |
|||||
|
负 载 调整率 |
吸入 |
SI |
IO= -0.1～-10mA |
|
20 |
|
ppm |
|
输出 |
IO=0.1～10mA |
|
20 |
|
ppm |
||
|
输出噪声电压 |
VN |
CO= 10 μF（仅限VREF） |
|
1 |
|
μV |
|
|
输入阻抗 |
Rin |
|
|
1010 |
|
Ω |
|
|
输出短路电流 |
ISC |
|
|
±43 |
|
mA |
|
|
增益带宽积 |
GBWP |
Av=1k，RL=2kΩ |
|
1.5 |
|
MHz |
|
|
静态电流 |
IO |
空载 |
|
6 |
12 |
mA |
|
|
平移电路环路增益 |
AVD |
小信号，RL=2kΩ |
+0.997 |
+1 |
+1.003 |
倍 |
|
|
环路增益不匹配度 |
ΔAVD |
|
0.01 |
|
0.08 |
% |
|
|
平移电路输出范围 |
Vop-p |
RL=5KΩ |
+0.01 |
|
+4.99 |
V |
|
六、典型应用
注：
1．VREF(即器件的1#端)对地外接10μF胆电容（最好是SMD形式）。
2．GND1和GND2应与后续的A/D转换器的模拟地以平板形式相连，尽量减少串联电阻。
3．VCC和VEE端对地各接一组旁路电容，2.2μF和0.1μF（最好是SMD）。
4．为了提高全温范围内的分辨率和转换精度，建议用户不要使用A/D转换器或DSP内部的+2.5V基准，使用该器件的+2.5V基准供给A/D转换器。
5．如果双极性信号的Vop-p≥5V，则应按上图所示加分压电阻R1和R2把信号摆幅压到5V以内。
6．为了减小A/D转换器采样/保持电路对模拟信号的电荷注入,提高A/D转换器的分辨率和转换精度，建议用户在A/D转换器的模拟输入端各加一个RC低通滤波器。R为1kΩ左右，C为0.1μF左右。当然要根据测量的动态范围取得折中。