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HJ4N25单通道光电耦合器

HJ4N25单通道光电耦合器

一、概述HJ4N25为全密封单通道光电耦合器电路。它由一个CaAsP发光二极管和一个光学上耦合的NPN光敏管构成,具有输入与TTL电路兼容、输出管耐压大于35V、输入输出间绝缘电阻大于1010Ω、隔离电压≥1000V,以及较高的电流传输比等特点。采用双列直插6线陶瓷管壳封装,工作温度范围为-55~+125℃。 二、封装形式及引出端排列采用D06S2陶瓷双列外壳封装,外形尺寸见附录—图1.(顶视图)
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一、概述

HJ4N25为全密封单通道光电耦合器电路。它由一个CaAsP发光二极管和一个光学上耦合的NPN光敏管构成,具有输入与TTL电路兼容、输出管耐压大于35V、输入输出间绝缘电阻大于1010Ω、隔离电压1000V,以及较高的电流传输比等特点。采用双列直插6线陶瓷管壳封装,工作温度范围为-55~ +125

 

二、封装形式及引出端排列

采用D06S2陶瓷双列外壳封装,外形尺寸见附录—图1.

(顶视图)

 

三、推荐工作条件

 

项目

符号

最小

典型

最大

单位

输出工作电压

VOC

 

 

24

V

输入正向电流

IF

10

13

20

mA

集电极电流

IC

 

1

10

mA

工作环境温度

TA

-55

 

+125

 

 

四、电特性

除非另有说明,-55TA≤+125

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

输入正向导通电压

VF

IF=10mA

 

1.3

1.9

V

输入反向电流

IR

VR=5V

 

1

10

μA

输出漏电流

ICEO

VCE=30V

 

1

50

μA

输出饱和压降

VCES

IF=10mA, IO=5mA

 

0.2

0.5

V

电流传输比*

CTR

IF=10mA, VCE=0.4V

50

 

500

%

导通传输延迟时间**

ton

IF=25mA, VOC=5V

TA=+25,RL=100Ω

VCE=0.8V

 

 

4

μs

截止传输延迟时间**

toff

VCE=3.5V

 

 

4

输出击穿电压

BVCEO

IC=0.1mA

35

 

 

V

 

*该参数可根据用户要求控制在较小的偏差范围。

** ton /toff包含了一般意义上的tPLH/tPHL以及tr/tf时间,并考虑了负载TTL/CMOS电路输入特性要求,较为简明实用。

 

五、典型应用图

1TTL电平驱动                                   2CMOS电平驱动 

3.隔离放大器

注:1.在驱动TTL电平电路中,为了保证光电耦合器可靠工作,输出应接上拉电阻,使输出高电平电压VOHVCC-0.4V

2.光电耦合器的开关特性与应用电路的状态有密切关系,RLR1增大,VCC增大,则开关特性相应变差。输出小信号工作状态与开关大信号工作状态的特性差别尤其明显。

 

六、特性曲线

   

   

 

 

 

 

 

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