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HJ521/HJ521-2/HJ521-4/ HJ521-4A系列

HJ521/HJ521-2/HJ521-4/ HJ521-4A系列

一、概述HJ521/HJ521-2/HJ521-4系列为全密封单/双/四通道光电耦合器。每一通道由一个CaAsP发光二极管和一个光学上耦合的NPN光敏管构成,具有输入与TTL电路兼容、输出管耐压大于35V、输入输出间绝缘电阻大于1010Ω、隔离电压≥1000V以及较高的电流传输比等特点,采用双列直插陶瓷外壳封装,工作温度范围为-55~+125℃。 二、封装形式及引出端排列采用D04S2/D08S2
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一、概述

HJ521/ HJ521-2/ HJ521-4系列为全密封单//四通道光电耦合器。每一通道由一个CaAsP发光二极管和一个光学上耦合的NPN光敏管构成,具有输入与TTL电路兼容、输出管耐压大于35V、输入输出间绝缘电阻大于1010Ω、隔离电压1000V以及较高的电流传输比等特点,采用双列直插陶瓷外壳封装,工作温度范围为-55~+125

 

二、封装形式及引出端排列

采用D04S2 /D08S2/D16S2陶瓷双列外壳和F16-02扁平外壳封装,外形尺寸见附录—图1、图9.

        

(顶视图)

HJ521D04S2封装)             HJ521-2D08S2封装)          HJ521-4D16S2封装)

                                                                                                       HJ521-4AF16-02封装)

三、推荐工作条件

 

 

四、电特性(每一通道,除非另有说明VCC=5V-55TA≤+125。)

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

输入正向导通电压

VF

IF=10mA

 

1.3

1.9

V

输入反向电流

IR

VR=5V

 

1

10

μA

输出漏电流

ICEO

VCE=30V

 

1

50

μA

输出饱和压降

VCES

IF=10mA, IO=5mA

 

0.2

0.5

V

电流传输比*

CTR

IF=10mA, VCE=0.4V

50

 

500

%

导通传输延迟时间**

ton

IF=25mA, VCC=5V

TA=+25, RL=100Ω

VCE=0.8V

 

 

4

μs

截止传输延迟时间**

toff

VCE=3.5V

 

 

4

输出击穿电压

BVCEO

IC=0.1mA

35

 

 

V

 

*该参数可根据用户要求控制在较小的偏差范围。

** ton /toff包含了一般意义上的tPLH/tPHL以及tr/tf时间,并考虑了负载TTL/CMOS电路输入特性要求,较为简明实用。

 

五、典型应用图

1TTL电平驱动                                 2CMOS电平驱动

               

3.双冗余接法(CMOS电平驱动)                 4.四双冗余接法(CMOS电平驱动)

                      

5.线性光电耦合器

 

注:1.在驱动TTL电平电路中,为了保证光电耦合器可靠工作,输出应接上拉电阻,使输出高电平

电压VOHVCC-0.4V

2.光电耦合器的开关特性与应用电路的状态有密切关系,RLRI1RI2增大,VCC增大,则

开关特性相应变差。输出小信号工作状态与开关大信号工作状态的特性差别尤其明显。

 

六、特性曲线

HJ4N25特性曲线。

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