HJ1006A/HJ1006B四NMOSFET阵列
HJ1006A/HJ1006B四NMOSFET阵列
一、概述
HJ
导通电阻低： 1.0Ω 输出电容低： 35pF
工作电压高：（HJ1006A） 90V
（HJ1006B） 75V
二、电原理图及封装形式
采用HD14-02B陶瓷双列直插封装，外形尺寸见附录一图3。
（顶视图）
三、绝对最大额定值
栅源电压 ±20V 耗散功率（TA=+25℃） 1500mW
工作温度范围 -55~+125℃ 贮存温度 -55~+150℃
持续电流 0.5A(HJ1006A); 3A(HJ1006B)
脉冲电流 2A ( HJ1006A); 10A(HJ1006B)
四、电特性
除非另有说明， TA=+25℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
漏源击穿电压 |
HJ |
BVDSS |
VGS=0, ID=10μA |
90 |
|
|
V |
|
HJ1006B |
75 |
|
|
||||
|
栅源阈值电压 |
VGS(th) |
VDS= |
0.8 |
|
2.5 |
V |
|
|
栅漏电流 |
IGDD |
VDS=0, VGS=±15V |
|
|
±100 |
nA |
|
|
漏源导通电阻 |
Ron |
VGS=10V, ID= |
|
1 |
4 |
Ω |
|
|
正向跨导 |
gts |
VGS=10V, ID= |
170 |
|
|
mS |
|
|
开关导通时间* |
ton |
VDD=25V,ID= |
|
10 |
|
ns |
|
|
开关关断时间* |
toff |
VDD=25V,ID= |
|
10 |
|
ns |
|
五、注意事项
1．该器件为静电敏感器件，在运输、保管、安装、调试中应注意采取静电防护措施。
2．应用中，若要进一步减小导通时间和关断时间，在输入端需外接高速功率MOSFET驱动器，
如HJ4426/HJ4427/HJ4428 等。