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HJ1006A/HJ1006B四NMOSFET阵列

HJ1006A/HJ1006B四NMOSFET阵列

一、概述         HJ1006A/HJ1006B是由四个独立的NMOS晶体管组成的阵列电路。采用BeO基片和耐高温厚膜集成电路工艺制成,具有良好的电性能匹配和热性能匹配。可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及固态继电器逻辑接口电路中。其主要特点有:导通电阻低:                   1.0Ω                输出电容低:      35pF工作电压高:(HJ
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一、概述         

HJ1006A /HJ1006B是由四个独立的NMOS晶体管组成的阵列电路。采用BeO基片和耐高温厚膜集成电路工艺制成,具有良好的电性能匹配和热性能匹配。可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及固态继电器逻辑接口电路中。其主要特点有:

导通电阻低:                    1.0Ω                 输出电容低:       35pF

工作电压高:HJ1006A          90V

HJ1006B          75V

 

二、电原理图及封装形式

采用HD14-02B陶瓷双列直插封装,外形尺寸见附录一图3

(顶视图)

三、绝对最大额定值

栅源电压                              ±20V     耗散功率(TA=+25         1500mW

工作温度范围                     -55~+125     贮存温度                   -55~+150

持续电流          0.5A(HJ1006A); 3A(HJ1006B)          

脉冲电流          2A ( HJ1006A); 10A(HJ1006B)           

 

四、电特性

除非另有说明, TA=+25

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

漏源击穿电压

HJ1006A

BVDSS

VGS=0, ID=10μA

90

 

 

V

HJ1006B

75

 

 

栅源阈值电压

VGS(th)

VDS= VGS, ID=1mA

0.8

 

2.5

V

栅漏电流

IGDD

VDS=0, VGS=±15V

 

 

±100

nA

漏源导通电阻

Ron

VGS=10V, ID=1A

 

1

4

Ω

正向跨导

gts

VGS=10V, ID=0.5A

170

 

 

mS

开关导通时间*

ton

VDD=25V,ID=0.5A,VGS=10V

 

10

 

ns

开关关断时间*

toff

VDD=25V,ID=0.5A,VGS=10V

 

10

 

ns

 

五、注意事项

1.该器件为静电敏感器件,在运输、保管、安装、调试中应注意采取静电防护措施。

 2.应用中,若要进一步减小导通时间和关断时间,在输入端需外接高速功率MOSFET驱动器,

HJ4426/HJ4427/HJ4428 等。

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