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HJ2006高温大电流六NMOS晶体管阵列

HJ2006高温大电流六NMOS晶体管阵列

一、概述HJ2006是由六个NMOS晶体管组成的共源开路型阵列电路,采用BeO基片和耐高温厚膜集成电路工艺制成,具有良好的电性能匹配和热性能匹配,输入与CMOS兼容。每个NMOS晶体管具有5A脉冲峰值电流和1A连续电流能力,输出并联可获得更高的电流,可广泛应用于驱动继电器或重感性负载。能在-55~+200℃的温度范围内保持良好的性能,工作电压可达80V。 二、电原理图 三、封装形式及引出端功能1.
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一、概述

HJ2006是由六个NMOS晶体管组成的共源开路型阵列电路,采用BeO基片和耐高温厚膜集成电路工艺制成,具有良好的电性能匹配和热性能匹配,输入与CMOS兼容。每个NMOS晶体管具有5A脉冲峰值电流和1A连续电流能力,输出并联可获得更高的电流,可广泛应用于驱动继电器或重感性负载。能在-55+200的温度范围内保持良好的性能,工作电压可达80V

 

二、电原理图

 

三、封装形式及引出端功能

1封装形式

采用HD14-02B陶瓷双列14线直插封装,外形尺寸见附录一图3

    (顶视图)

 

2引出端功能

引脚号

1

2

3

4

5

6

7

功能

G1

G2

G3

G4

G5

G6

GND

引脚号

8

9

10

11

12

13

14

功能

GND

D6

D5

D4

D3

D2

D1

 

四、绝对最大额定值

输出耐压VDN                           100V            持续电流                       1A               

栅源电压                      ±10V            耗散功率                   800m W        

贮存温度                 -55~+200            工作温度范围(TC      -55~+200         

引线焊接温度(10s          +300

 

五、电特性

除非另有说明,TA=+25℃。

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

漏源击穿电压

V(BR)DSS

VGS=0,

ID=250μA

 

100

130

 

V

TA=+200

80

 

 

漏源漏电流

IDSD

VGS=0

VDS=80V

 

 

 

25

µA

TA=+200

 

 

500

栅源阈值电压

VGS(on)

ID=350mA

1.8

 

2.9

V

漏源导通电阻

RDS(on)

VGS=5.0V, ID=0.5A

 

 

0.7

Ω

上升时间*

tr

 

 

47

 

ns

下降时间*

tf

 

 

17

 

ns

关断延迟时间*

to(off)

 

 

16

 

ns

 * 设计保证

 

六、转移特性曲线

注:该曲线是在施加额定负载(IO=500mA)下获得的。

 

七、典型应用1/6HJ2006

注:1.重载使用时,应考虑加大PCB的铜面积或在器件背面加散热器以降低结温与环境温度差。

2.使用时,应根据阈值电压VT配置合适的输入驱动信号,严禁将器件使用在线性工作区,尤其是在重载情况下。若输入驱动信号dV/dt不够,会使器件的动态功耗增大,引起器件发热。

3.每一路栅源之间接入了保护二极管,箝位电压为±6.2V,应用时输入高电平电压最大值应小于6V,如果输入电压过高,则需要在栅极串入110kΩ电阻。

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