HJ2006高温大电流六NMOS晶体管阵列
HJ2006高温大电流六NMOS晶体管阵列
一、概述
HJ2006是由六个NMOS晶体管组成的共源开路型阵列电路，采用BeO基片和耐高温厚膜集成电路工艺制成，具有良好的电性能匹配和热性能匹配，输入与CMOS兼容。每个NMOS晶体管具有
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
1．封装形式
采用HD14-02B陶瓷双列14线直插封装，外形尺寸见附录一图3。
(顶视图)
2．引出端功能
|
引脚号 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
功能 |
G1 |
G2 |
G3 |
G4 |
G5 |
G6 |
GND |
|
引脚号 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
|
功能 |
GND |
D6 |
D5 |
D4 |
D3 |
D2 |
D1 |
四、绝对最大额定值
输出耐压VDN 100V 持续电流
栅源电压 ±10V 耗散功率
贮存温度 -55~+
引线焊接温度（10s） +
五、电特性
除非另有说明，TA=+25℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
漏源击穿电压 |
V(BR)DSS |
VGS=0, ID=250μA |
|
100 |
130 |
|
V |
|
TA=+ |
80 |
|
|
||||
|
漏源漏电流 |
IDSD |
VGS=0， VDS=80V |
|
|
|
25 |
µA |
|
TA=+ |
|
|
500 |
||||
|
栅源阈值电压 |
VGS(on) |
ID=350mA |
1.8 |
|
2.9 |
V |
|
|
漏源导通电阻 |
RDS(on) |
VGS=5.0V, ID= |
|
|
0.7 |
Ω |
|
|
上升时间* |
tr |
|
|
47 |
|
ns |
|
|
下降时间* |
tf |
|
|
17 |
|
ns |
|
|
关断延迟时间* |
to(off) |
|
|
16 |
|
ns |
|
* 设计保证
六、转移特性曲线
注：该曲线是在施加额定负载（IO=500mA）下获得的。
七、典型应用（1/6HJ2006）
注：1．重载使用时，应考虑加大PCB的铜面积或在器件背面加散热器以降低结温与环境温度差。
2．使用时，应根据阈值电压VT配置合适的输入驱动信号，严禁将器件使用在线性工作区，尤其是在重载情况下。若输入驱动信号dV/dt不够，会使器件的动态功耗增大，引起器件发热。
3．每一路栅源之间接入了保护二极管，箝位电压为±6.2V,应用时输入高电平电压最大值应小于6V,如果输入电压过高，则需要在栅极串入1～10kΩ电阻。