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HJ198N高温五NPN三极管阵列

HJ198N高温五NPN三极管阵列

一、概述HJ198N是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中,两个三极管通过内部引线连接形成差分对管,它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用,也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片,确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度(通道绝缘电阻大于1010Ω)。该电路采用了14线陶瓷扁平封装,工作温度范围为-55~+200℃,可与198HT
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一、概述

HJ198N是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中,两个三极管通过内部引线连接形成差分对管,它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用,也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片,确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度(通道绝缘电阻大于1010Ω。该电路采用了14线陶瓷扁平封装,工作温度范围为-55~ +200,可与198HT1/198HT2/198HT3/198HT4互相代换。

 

二、电原理图

三、封装形式及引出端功能

采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装,

 

引脚号

1

2

3

4

5

6

7

功能

e4

b4

c4

e5

b5

c5

e3

引脚号

8

9

10

11

12

13

14

功能

b3

c3

c2

b2

e2

e1

b1

c1

外形尺寸见附录一图9

      

 

绝对最大额定值

集电极-发射极耐压BVCEO         50V            集电极电流ICM                 400mA

耗散功率                     600mW            贮存温度             -55+200

工作温度范围              -55~+200

五、电特性除非另有说明TA=+25℃。)

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

集电极-基极击穿电压

V(BR)CBO

IC=0.1mA

50

 

 

V

集电极-发射极击穿电压

V(BR)CEO

IC=0.1mA

45

 

 

V

集电极-基极截止电流

ICBO

VCB=30V

 

 

1

μA

集电极-发射极截止电流

ICEO

VCE=30V

 

 

5

μA

集电极-发射极饱和电压

VCE(sat)

IB=1mA, IC=400mA

 

0.2

1.0

V

正向电流放大倍数

hFE

VCE=10V, IC=200mA

60

150

 

 

正向电流放大倍数匹配误差

ΔhFE

VCE=10V, IC=10mA

 

 

10

%

特征频率*

 

fT

VCE=10V, IC=3mA

200

 

 

MHz

 

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