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HJ198C五NPN三极管阵列集成电路
HJ198C五NPN三极管阵列集成电路
一、概述
HJ
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
采用F16
外形尺寸见附录一图9。
|
引脚号 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
|
功能 |
e4 |
b4 |
c4 |
e5 |
b5 |
c5 |
衬底 |
NC |
|
引脚号 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
|
功能 |
e3 |
b3 |
c3 |
c2 |
b2 |
e2e1 |
b1 |
c1 |
四、绝对最大额定值
单管耐压BVCEO 50V 工作温度范围 -55~+
耗散功率 600mW 贮存温度 -55～+
五、电特性（除非另有说明，TA=+
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
集电极-基极击穿电压 |
V(BR)CBO |
IC=0.01mA |
50 |
|
|
V |
|
集电极-发射极击穿电压 |
V(BR)CEO |
IC=0.1mA |
45 |
|
|
V |
|
集电极-基极截止电流 |
ICBO |
VCB=30V |
|
0.01 |
0.1 |
μA |
|
集电极-发射极截止电流 |
ICEO |
VCE=30V |
|
0.1 |
5 |
μA |
|
集电极-发射极饱和电压 |
VCE(sat) |
IB=1mA, IC=10mA |
|
0.2 |
0.5 |
V |
|
基极-发射极饱和电压 |
VBE(sat) |
IE=10mA, VCE=3V |
|
0.8 |
1.2 |
V |
|
正向电流放大倍数 |
hFE |
VCE=10V, IC=10mA |
60 |
150 |
|
|
|
对管电流放大倍数匹配误差 |
ΔhFE |
VCE=10V, IC=10mA |
|
|
10 |
% |
|
特征频率* |
fT |
VCE=10V, IC=3mA |
200 |
|
|
MHz |