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HJ198C五NPN三极管阵列集成电路

HJ198C五NPN三极管阵列集成电路

一、概述HJ198C是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列单片集成电路。其中,两个三极管通过内部引线连接形成差分对管,它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用,也可用作专门的晶体管阵列使用。采用先进的集成电路工艺技术,确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度(通道绝缘电阻大于1010Ω)。该电路采用了16线陶瓷扁平封装,工作温度范围可达-55~+200℃。二、电原
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一、概述

HJ198C是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列单片集成电路。其中,两个三极管通过内部引线连接形成差分对管,它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用,也可用作专门的晶体管阵列使用。采用先进的集成电路工艺技术,确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度(通道绝缘电阻大于1010Ω。该电路采用了16线陶瓷扁平封装,工作温度范围可达-55~ +200

二、电原理图

      7脚接最低电位(衬底)

三、封装形式及引出端功能

采用F16-01C陶瓷扁平外壳封装,

外形尺寸见附录一图9

引脚号

1

2

3

4

5

6

7

8

功能

e4

b4

c4

e5

b5

c5

衬底

NC

引脚号

9

10

11

12

13

14

15

16

功能

e3

b3

c3

c2

b2

e2e1

b1

c1

      

 

 

 

绝对最大额定值

单管耐压BVCEO             50V              工作温度范围               -55~+200

耗散功率                600mW              贮存温度                  -55+200

五、电特性除非另有说明TA=+25℃

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

集电极-基极击穿电压

V(BR)CBO

IC=0.01mA

50

 

 

V

集电极-发射极击穿电压

V(BR)CEO

IC=0.1mA

45

 

 

V

集电极-基极截止电流

ICBO

VCB=30V

 

0.01

0.1

μA

集电极-发射极截止电流

ICEO

VCE=30V

 

0.1

5

μA

集电极-发射极饱和电压

VCE(sat)

IB=1mA, IC=10mA

 

0.2

0.5

V

基极-发射极饱和电压

VBE(sat)

IE=10mA, VCE=3V

 

0.8

1.2

V

正向电流放大倍数

hFE

VCE=10V, IC=10mA

60

150

 

 

对管电流放大倍数匹配误差

ΔhFE

VCE=10V, IC=10mA

 

 

10

%

特征频率*

fT

VCE=10V, IC=3mA

200

 

 

MHz

 

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