陕西航晶微电子有限公司是一家从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业，以其优异的模拟电路应用设计及超高温抗恶劣环境产品为特色。
©2020 陕西航晶微电子有限公司 版权所有陕ICP备19019842号-1
公司电话：
029-89259995
公司邮箱：
hj@hangjingic.com
公司地址：
西安航天基地工业二路299号3号楼9层
微信公众号
HJ198P高温五PNP三极管阵列
HJ198P高温五PNP三极管阵列
一、概述
HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中，两个三极管通过内部引线连接形成差分对管，它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用，也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片，确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度（通道绝缘电阻大于1010Ω）。该电路采用了14线陶瓷扁平封装，工作温度范围为-55~ +
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
采用F14
|
引脚号 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
功能 |
e4 |
b4 |
c4 |
e5 |
b5 |
c5 |
e3 |
|
引脚号 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
|
功能 |
b3 |
c3 |
c2 |
b4 |
e2 e5 |
b1 |
c1 |
四、绝对最大额定值
单管耐压BVCEO -50V 单管驱动电流IEM 400mA
工作温度范围 -55~+
贮存温度 -55～+
五、电特性（除非另有说明，TA=+25℃。）
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
集电极-基极击穿电压 |
V(BR)CBO |
IC=0.1mA |
|
|
-50 |
V |
|
集电极-发射极击穿电压 |
V(BR)CEO |
IC=0.1mA |
|
|
-45 |
V |
|
集电极-基极截止电流 |
ICBO |
VCB=-30V |
|
|
1 |
μA |
|
集电极-发射极截止电流 |
ICEO |
VCE=-30V |
|
|
5 |
μA |
|
集电极-发射极饱和电压 |
VCE(sat) |
IB=1mA, IE=400mA |
|
0.2 |
1.0 |
V |
|
正向电流放大倍数 |
hFE |
VCE=-10V, IE=200mA |
60 |
150 |
|
|
|
正向电流放大倍数匹配误差 |
ΔhFE |
VCE=-10V, IE=10mA |
|
|
10 |
% |
|
特征频率* |
fT |
VCE=-10V, IC=3mA |
200 |
|
|
MHz |