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HJ198N/MXT198N/LT1198N五NPN三极管阵列
HJ198N/MXT198N/LT1198N五NPN三极管阵列
一、概述
MXT198N/LT1198N是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中，两个三极管通过内部引线连接形成差分对管，它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用，也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片，确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度（通道绝缘电阻大于1010Ω）。该电路采用了14线陶瓷扁平封装，工作温度范围为-55~ +
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装，外形尺寸见附录一图9。
|
引脚号 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
功能 |
e4 |
b4 |
c4 |
e5 |
b5 |
c5 |
NC |
|
引脚号 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
|
功能 |
b3 e3 |
c3 |
c2 |
b2 |
e2 e1 |
b1 |
c1 |
四、绝对最大额定值
单管耐压BVCEO 50V 单管驱动电流ICM 400mA
工作温度范围 -55~+125℃ 耗散功率 600mW
结温
五、电特性（除非另有说明，TA=+25℃。）
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
集电极-基极击穿电压 |
V(BR)CBO |
IC=0.1mA |
50 |
|
|
V |
|
集电极-发射极击穿电压 |
V(BR)CEO |
IC=0.1mA |
45 |
|
|
V |
|
集电极-基极截止电流 |
ICBO |
VCB=30V |
|
|
5 |
μA |
|
集电极-发射极截止电流 |
ICEO |
VCE=30V |
|
|
10 |
μA |
|
集电极-发射极的饱和电压 |
VCE(sat) |
IB=80mA, IC=400mA |
|
0.2 |
1.0 |
V |
|
正向电流放大倍数 |
hFE |
VCE=5V, IC=200mA |
60 |
150 |
|
|
|
特征频率* |
fT |
VCE=10V, IC=3mA |
200 |
|
|
MHz |
* 设计保证