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HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列
HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列
一、概述
HJ
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
1．封装形式 2．引出端功能
|
引脚号 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
功能 |
NC |
b1 |
e2 |
c2 |
b3 |
e4 |
c4 |
|
引脚号 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
|
功能 |
NC |
b4 |
e3 |
c3 |
b2 |
e1 |
c1 |
采用F14-01B陶瓷扁平外壳封装，
外形尺寸见附录一图9。
四、绝对最大额定值
单管耐压BVCEO 50V 单管驱动电流ICM 400mA
工作温度范围 -55~+
结温 +
五、电特性
除非另有说明，TA=25℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
共发射极电流放大倍数 |
hFE |
VCE=5V, IC=200mA |
60 |
150 |
|
|
|
集电极-基极击穿电压 |
V(BR)CBO |
IC=0.1mA |
50 |
|
|
V |
|
集电极-发射极击穿电压 |
V(BR)CEO |
IC=0.1mA |
45 |
|
|
V |
|
集电极-基极截止电流 |
ICBO |
VCB=45V |
|
|
5 |
μA |
|
集电极-发射极截止电流 |
ICEO |
VCE=30V |
|
|
10 |
μA |
|
集电极-发射极饱和电压 |
VCE(sat) |
IB=80mA, IC=400mA |
|
0.2 |
1.0 |
V |
|
特征频率* |
fT |
VCE=10V, IC=3mA |
200 |
|
|
MHz |
|
集电结电容* |
CC |
VCB=10V, f=5MHz, |
|
|
15 |
pF |
* 设计保证