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HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列

HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列

一、概述HJ251A/MXT251A是三极管阵列集成电路,该电路是由四个外延平面型NPN三极管组成。它既具有紧密的电匹配和良好的热匹配性能,而且一致性和均匀性比分立管更好。能在-55~+125℃的温度范围内保持良好的性能。二、电原理图三、封装形式及引出端功能1.封装形式                          2.引出端功能 引脚号1234567功能NCb1e2c2b3e4c4引脚号89
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一、概述

HJ251A/ MXT251A是三极管阵列集成电路,该电路是由四个外延平面型NPN三极管组成。它既具有紧密的电匹配和良好的热匹配性能,而且一致性和均匀性比分立管更好。能在-55~+125的温度范围内保持良好的性能。

二、电原理图

三、封装形式及引出端功能

1.封装形式                           2.引出端功能

 

引脚号

1

2

3

4

5

6

7

功能

NC

b1

e2

c2

b3

e4

c4

引脚号

8

9

10

11

12

13

14

功能

NC

b4

e3

c3

b2

e1

c1

采用F14-01B陶瓷扁平外壳封装,

外形尺寸见附录一图9

四、绝对最大额定值

单管耐压BVCEO                   50V              单管驱动电流ICM          400mA

工作温度范围               -55~+125              耗散功率                 600mW

结温                           +175

五、电特性

除非另有说明,TA=25℃。

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

共发射极电流放大倍数

hFE

VCE=5V, IC=200mA

60

150

 

 

集电极-基极击穿电压

V(BR)CBO

IC=0.1mA

50

 

 

V

集电极-发射极击穿电压

V(BR)CEO

IC=0.1mA

45

 

 

V

集电极-基极截止电流

ICBO

VCB=45V

 

 

5

μA

集电极-发射极截止电流

ICEO

VCE=30V

 

 

10

μA

集电极-发射极饱和电压

VCE(sat)

IB=80mA, IC=400mA

 

0.2

1.0

V

特征频率*

fT

VCE=10V, IC=3mA

200

 

 

MHz

集电结电容*

CC

VCB=10V, f=5MHz,

 

 

15

pF

 

 * 设计保证

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