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HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列

HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列

一、概述HJ622A/MXT622A是三极管阵列集成电路,该电路是由四个PNP硅三极管组成。它既具有紧密的电匹配和良好的热匹配性能,而且一致性和均匀性比分立管更好。能在-55~+125℃的温度范围内保持良好的性能,通道绝缘电阻大于1010Ω。 二、电原理图三、封装形式及引出端功能1.封装形式                        2.引出端功能 引脚号1234567功能NCb2e1c1b3
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一、概述

HJ622A / MXT622A是三极管阵列集成电路,该电路是由四个PNP硅三极管组成。它既具有紧密的电匹配和良好的热匹配性能,而且一致性和均匀性比分立管更好。能在-55~+125的温度范围内保持良好的性能,通道绝缘电阻大于1010Ω

 

二、电原理图

三、封装形式及引出端功能

1.封装形式                         2.引出端功能

 

引脚号

1

2

3

4

5

6

7

功能

NC

b2

e1

c1

b3

e4

c4

引脚号

8

9

10

11

12

13

14

功能

NC

b4

e3

c3

b1

e2

c2

采用F14-01B陶瓷扁平外壳封装,

外形尺寸见附录一图9

四、绝对最大额定值

单管耐压BVCEO                   -50V           单管驱动电流IEM           400mA

 工作温度范围               -55~+125           耗散功率                  600mW

结温                           +175

五、电特性除非另有说明TA=+25℃

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

正向电流放大倍数

hFE

VCE=-5V, IE=200mA

60

150

 

 

集电极-基极击穿电压

V(BR)CBO

IC=0.1mA

 

 

-50

V

集电极-发射极击穿电压

V(BR)CEO

IC=0.1mA

 

 

-45

V

集电极-基极截止电流

ICBO

VCB=-45V

 

 

5

μA

集电极-发射极截止电流

ICEO

VCE=-3V

 

 

10

μA

集电极-发射极的饱和电压

VCE(sat)

IB=80mA, IE=400mA

 

-0.2

-1.3

V

特征频率*

fT

VCE=10V, IC=3mA

200

 

 

MHz

* 设计保证

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