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HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

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产品描述

HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

概述

HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器,内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器,实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC+13V+20 V正电源电压和VEE-3V-6V负电源电压。根据输入PWM信号频率的不同,分为A、B、C三挡。

HJ393A能将最大500KHz占空比为0-100%TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCCVEE的驱动信号

HJ393B能将最大800KHz占空比为0-100%TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCCVEE的驱动信号

HJ393C能将最大1MHz占空比为0-100%TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCCVEE的驱动信号。

由于超宽的禁带能级,使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj≥250MOS管能够可靠关断,以及减小SiC-MOSFET的密勒效应,保证高温下输入低电平的噪声容限,SiC MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS/IGBT管栅极驱动的要求,确保SiC-MOS/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A,且具有较高的隔离度和抗扰度,确保在高频PWM信号和高电压的情况下电路可靠工作。主要特点有:

自带DC//DC隔离驱动电源,系统只需要提供数字5V即可

1800VDC峰值隔离

高共模瞬变抑制:CMTI≥50KV/μS

最高工作温度可达200

输入输出信号隔离

0-100%占空比应用,特别适合高压大功率高端开关应用

能实现IGBT/SiC-MOS管的负电压关断

最高工作频率HJ393A——500KHzHJ393B——800KHzHJ393C——1MHz

瞬态峰值驱动电流HJ393A——±9AHJ393B——-2.5A/+5AJ393C——±1.5A

充放电时间快,延迟时间短trtf≤50nS

 

详情可以下载其产品说明书
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暂未实现,敬请期待
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