HJ369四路双冗余高电压大电流输出驱动电路
HJ369四路双冗余高电压大电流输出驱动电路
一、概述
HJ369是用MOS晶体管组成的双冗余高电压大电流输出驱动电路，电路由相同的四路双输入译码控制输出串联的驱动电路组成，采用BeO基片和改良的耐高温厚膜集成电路工艺制成，能够驱动继电器或大电流感性负载。应用时可将两路并联使用构成四冗余（或三路并联构成三中取二表决器），当T1、T2、T3、T4中任何一只驱动晶体管失效（无论开路还是短路），该系统仍能正常工作，消除了单点故障模式。工艺上采取措施，消除了“次生故障”和“紫斑效应”。
HJ369能在-55～+
输出负载工作电压大于60V； 输出电流大于2A；
输入与TTL/CMOS电平兼容； 采用16线双列全密小型化封装；
使用方便，可以单路或多路并联使用。
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
采用HD16-02A陶瓷双列直插封装，外形尺寸见附录一图2。
四、绝对最大额定值
最高工作电压（VCC） 60V 输入电压 ±15V
耗散功率 1500mW 贮存温度 -55~+
工作温度范围 -55～+200℃ 引线焊接温度（10s） +300℃
五、电特性（除非另有说明，Vcc=28V， -55℃≤TA≤+200℃。）
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参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
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最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
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输出击穿电压 |
V(BR) OS |
VIN=0, IO=250μA |
60 |
100 |
|
V |
|
输出漏电流 |
IOD |
Vin1=Vin2=0V,RL=120Ω |
|
|
50 |
μA |
|
Vin1=0V,Vin2=5V,RL=120Ω,TA=+ |
|
|
20 |
|||
|
Vin1=5V,Vin2=0V,RL=120Ω,TA=+ |
|
|
20 |
|||
|
输出饱和电压 |
Vosat |
Vin1=Vin2=5V,IO=800mA, TA=+ |
|
0.15 |
0.35 |
V |
|
输出电流 |
IO |
Vin1=Vin2=5V,Vosat=1V |
1000 |
|
|
mA |
|
输入高电平电压 |
VIH |
IO=500mA, Vosat=0.5V |
3.5 |
|
10 |
V |
|
输入低电平电压 |
VIL |
RL=120Ω, IO=1mA |
|
|
0.8 |
V |
|
电源电流 |
IS |
Vin1=Vin2=0V, TA=+ |
|
|
20 |
μA |
六、典型应用 七、转移特性曲线
注：该曲线是在施加负载（IO=500mA）下获得的。
1．脉冲上升时间tr 和下降时间tf 控制方法
如图所示，在控制信号输入端串入电阻RX1
和RX2，利用RX和MOS晶体管的栅电容构成时间
常数，而可实现控制tr和tf大小
tr≈tf≈RX ·Ci
就越大。
2．提高噪声容限的方法
由于NMOS晶体管的开启电压偏低，一般为
VGS(th)=2.1V；
当施加CMOS电平时，输入低电平时噪声容限降低，
可通过如图所示方法提高低电平噪声容限，改变R2/R1
和R4/R3比值，可改变噪声容限值。