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HJ596H四路四冗余大功率NMOS开关驱动电路
HJ596H四路四冗余大功率NMOS开关驱动电路
一、概述
HJ596H电路用于卫星或航天器遥控与其他系统的输出接口，主要由输入电平匹配、门限控制及驱动电路组成，并按串-并结构冗余配置、满足系统高可靠要求。电路除输出功率高、饱和压降低、负向与正向箝位，输入信号范围宽、高噪声容限等基本特点外，还具有输出波形斜率可控，能够有效地控制电磁干扰；输出高压反穿故障隔离，以实现真正冗余容错设计、消除单点故障模式的专有特性。该厚膜集成电路采用BeO基板和小型化金属全密封封装技术，降低了器件热阻，提高了器件可靠性。HJ596H可广泛应用于控制系统、数管或星务系统，驱动电阻性或电感性功率负载。其主要特点有：
负载工作电压 10～40V；
负载工作电流
输出饱和电压 0.5V；
输出斜率控制
上升时间tr 20μs；
下降时间tf 20μs；
输入信号范围 10V、12V、15V供电电路系列；
24线小型化金属全密封封装。
二、电原理图（1/4HJ596H）
三、封装形式及引出端功能
1．封装形式及外形尺寸
HJ596H采用BB528-24双列金属全密封封装,外形尺寸见附录一图14。
2．引出端功能
|
引脚号 |
符号 |
功能说明 |
引脚号 |
符号 |
功能说明 |
|
1 |
GNDA1 |
第一路A通道地 |
13 |
INB4 |
第四路B输入 |
|
2 |
INA1 |
第一路A输入 |
14 |
VCC4 |
第四路电源电压 |
|
3 |
GNDB1 |
第一路B通道地 |
15 |
OUT4 |
第四路输出 |
|
4 |
GNDA2 |
第二路A通道地 |
16 |
INB3 |
第三路B输入 |
|
5 |
INA2 |
第二路A输入 |
17 |
VCC3 |
第三路电源电压 |
|
6 |
GNDB2 |
第二路B通道地 |
18 |
OUT3 |
第三路输出 |
|
7 |
GNDA3 |
第三路A通道地 |
19 |
INB2 |
第二路B输入 |
|
8 |
INA3 |
第三路A输入 |
20 |
VCC2 |
第二路电源电压 |
|
9 |
GNDB3 |
第三路B通道地 |
21 |
OUT2 |
第二路输出 |
|
10 |
GNDA4 |
第四路A通道地 |
22 |
INB1 |
第一路B输入 |
|
11 |
INA4 |
第四路A输入 |
23 |
VCC1 |
第一路电源电压 |
|
12 |
GNDB4 |
第四路B通道地 |
24 |
OUT1 |
第一路输出 |
四、绝对最大额定值
负载工作电压 VCC 50V 总耗散功率 1500mW
负载工作电流 IL 2A 工作温度范围（TA） -55~+125℃
输出箝位电流 Iok 2A 贮存温度 Tstg -55~+175℃
输入信号电平 VIH +18V 引线焊接温度（10s） +300℃
VIL -5V
五、推荐工作条件
负载工作电压 VCC 10～40V
负载工作电流 IL ≤1.5A
输入信号电平 VIH 8.5～16V
VIL -1～3V
信号频率fo ≤1kHz
六、电特性（除非另有说明，Vcc=28V，RL=28Ω,TA=-55~125℃。）
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
输出漏电流 |
IOD |
VIL≤3V |
|
|
50 |
μA |
|
输出饱和电压 |
Vosat |
IIH=8.5V |
|
|
0.5 |
V |
|
输入电流 |
II |
VIH =15V,TA= |
|
2 |
|
mA |
|
输出上升时间 |
tr |
1kHz、10V方波，TA= |
|
20 |
|
μs |
|
输出下降时间 |
tf |
1kHz、10V方波，TA= |
|
20 |
|
μs |
|
输出负向箝位电压 |
Vok |
VI=0V, IL = |
|
|
-2 |
Ｖ |
七、典型应用
注：
1．典型应用如图所示。各路通道地需在外部对应短接。为了减小相互干扰，各路驱动器电源线和地线都应取星形连接形式。
2．正常工作时，VCC端连接到电源电压，即正向箝位功能有效。当实际接口距离短或负载轻时，也可以不使用内部正向箝位功能（VCC端开路），以加速截止速率，满足某些特殊需求（如减少继电器释放时间等）。
3．输入可与10V、12 V或 15 V供电的控制电路直接接口，无需其他元件。
4．电路输出斜率控制特性有利于应用系统明显改善电磁环境，但同时也会因放缓开关过程带来自身动态功耗的增加。若电路测试或整机使用处在较高工作频率状态下，则会对电路温升有一定影响。
5．HJ596H电路具有良好的耐空间辐射特性，是一种高可靠的抗辐射器件，可用于中、低轨道航天器电子设备。如按用户需求，进而采用辐射加固型MOS管芯，则可达成更高等级的辐射加固器件（HJ596RH），以用于高轨道航天器。