HJ4426/HJ4427/HJ4428高温双1.5A高速功率MOSFET驱动器
HJ4426/HJ4427/HJ4428高温双1.5A高速功率MOSFET驱动器
一、概述
HJ4426/HJ4427/HJ4428是一款改进型驱动器,在规定的功率和电压范围内不会发生闩锁效应,当地线上产生任一极性大到5V的噪声峰值电压情况下,器件也不会受到损坏。器件输出端能够承受500 mA的反向电流而不会发生损坏或逻辑改变。所有引出端都有静电保护措施,静电放电阈值电压达到4kV以上。无论输出高或低,HJ4426/HJ4427/HJ4428都能提供一个非常低的阻抗,以在30 ns内高速驱动1000pF电容负载。主要特点有
宽的电源电压范围 4.5~18V 高峰值输出电流 1.5A
高电容负载驱动能力(25ns) 1000pF 低输出阻抗 7Ω
短的延迟时间 <40 ns 负输入电压保护 -5V
ESD保护 4kV 抗闩锁保护 >500mA
低的电源电流(输入高) 4 mA 工作温度 200℃
(输入低) 400μA
二、电源里框图
三、封装形式及引出端功能
HJ4426/HJ4427/HJ4428采用D08S2陶瓷双列外壳、F08-06陶瓷扁平外壳封装。外形尺寸见附录一图1和图9。.
四、绝对最大额定值
电源电压 VDD 22V 输入电压 VDD+0.3~-5V
工作温度范围 -55 ~
耗散功率(D08S2) 800 mW 储存温度 -65 ~
(F08-01) 450 mW 引线焊接温度(10s)
五、电特性
除非另有说明,4.5V ≤VDD≤18V,TA=25℃。
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
输入 |
输入高电平电压 |
VIH |
|
2.4 |
|
|
V |
输入低电平电压 |
VIL |
|
|
|
0.8 |
V |
|
输入电流 |
IIN |
0≤VIN≤VDD |
-1 |
|
+1 |
μA |
|
输出 |
输出高电平电压 |
VOH |
|
VDD-0.025 |
|
|
V |
输出低电平电压 |
VOL |
|
|
|
0.025 |
V |
|
输出阻抗 |
RO |
VDD=18V IO=10mA |
|
7 |
10 |
Ω |
|
输出峰值电流 |
IPK |
脉冲占空比≤2%
t≤30μs |
|
1.5 |
|
A |
|
闩锁保护翻转电流 |
IREV |
≥0.5 |
|
|
A |
||
开关
特性 |
上升时间 |
tR |
见测试图 |
|
|
40 |
ns |
下降时间 |
tF |
|
|
40 |
ns |
||
延迟时间 |
tD1 |
|
|
40 |
ns |
||
延迟时间 |
tD2 |
|
|
40 |
ns |
||
电源 |
电源电流 |
IS |
VIN=3V
VIN=0V |
|
|
4.5
0.4 |
mA |
注:1.开关特性设计保证。
2.开关特性测试图。