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HJ722NPN/HJ727PNP高温达林顿晶体管
HJ722NPN/HJ727PNP高温达林顿晶体管
一、概述
HJ722是NPN型高温中功率达林顿晶体管，HJ727是PNP型高温中功率达林顿晶体管。它们具有很高的电流增益和极好的匹配特性，能够实现互补NPN-PNP晶体管，工作温度超过
二、原理图
HJ722 R1=7KΩ R2=70Ω HJ727 R1=16 KΩ R2=60Ω
三、装形式及引出端功能
HJ722和HJ727采用TO-257金属全密封封装，外形尺寸见附录一图22。
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引脚号 |
符号 |
功能 |
|
1 |
B |
基极 |
|
2 |
C |
集电极 |
|
3 |
E |
发射极 |
注：外壳与任一引出端无电气连接
四、对最大额定值
集电极-基极电压VCBO (IE =0) 100V 集电极电流IC
集电极-发射极电压VCEO (IB =0) 100V 集电极峰值电流ICM
工作温度范围（TJ） -55～200℃ 贮存温度Tstg -65～200℃
电耗散功率 (带散热器) 3W 引线焊接温度(10s) +
五、电特性
除非另有说明，TA=25℃。
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参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
集电极-基极漏电流 |
ICBO |
IB =0 VCB=80V |
|
|
0.2 |
mA |
|
集电极-发射极漏电流 |
ICEO |
IB =0 VCE=50V |
|
|
0.2 |
mA |
|
集电极-基极击穿电压 |
VCBO（SUS）SUS |
IB =0 IC=0.5mA |
100 |
|
|
V |
|
集电极-发射极击穿电压 |
VCEO（SUS）SUS |
IB =0 IC=0.5 mA |
100 |
|
|
V |
|
集电极-发射极饱和电压 |
VCE(SAT) |
IB=12 mA IC = |
|
|
2 |
V |
|
正向电流放大倍数 |
hFE |
IC = |
1000 |
|
|
|