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HJ722NPN/HJ727PNP高温达林顿晶体管

HJ722NPN/HJ727PNP高温达林顿晶体管

一、概述HJ722是NPN型高温中功率达林顿晶体管,HJ727是PNP型高温中功率达林顿晶体管。它们具有很高的电流增益和极好的匹配特性,能够实现互补NPN-PNP晶体管,工作温度超过200℃。广泛的应用于线性放大和开关工作。 二、原理图                            HJ722 R1=7KΩ R2=70Ω  HJ727 R1=16KΩ R2=60Ω 三、装形式及引出端功能 
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一、概述

HJ722NPN型高温中功率达林顿晶体管,HJ727PNP型高温中功率达林顿晶体管。它们具有很高的电流增益和极好的匹配特性,能够实现互补NPN-PNP晶体管,工作温度超过200。广泛的应用于线性放大和开关工作。

 

、原理图               

 

             

HJ722  R1=7KΩ  R2=70Ω   HJ727  R1=16 KΩ  R2=60Ω

 

三、装形式及引出端功能  

HJ722HJ727采用TO-257金属全密封封装,外形尺寸见附录一图22

 

引脚号

符号

功能

1

B

基极

2

C

集电极

3

E

发射极

 

 

 

 

 

           

             注:外壳与任一引出端无电气连接

 

四、对最大额定值

集电极-基极电压VCBO (IE =0)          100V        集电极电流IC                    5A

集电极-发射极电压VCEO (IB =0)        100V        集电极峰值电流ICM               8A

工作温度范围(TJ             -55200        贮存温度Tstg             -65200

电耗散功率 (带散热器)                 3W        引线焊接温度(10s)            +300

 

五、电特性

除非另有说明,TA=25

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

集电极-基极漏电流

ICBO

IB =0  VCB=80V

 

 

0.2

mA

集电极-发射极漏电流

ICEO

IB =0  VCE=50V

 

 

0.2

mA

集电极-基极击穿电压

VCBOSUSSUS

IB =0  IC=0.5mA

100

 

 

V

集电极-发射极击穿电压

VCEOSUSSUS

IB =0  IC=0.5 mA

100

 

 

V

集电极-发射极饱和电压

VCE(SAT)

IB=12 mA IC =3A

 

 

2

V

正向电流放大倍数

hFE

IC =0.5A VCE=3V

1000

 

 

 

 

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