HJ540 NMOSFET晶体管
HJ540 NMOSFET晶体管
一、概述
HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管，具有非常低的导通电阻（90mΩ）和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作温度达到
HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装，三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的，外壳可以接任一电位，使用方便，可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。
二、电原理图及封装形式
采用 TO-257金属全密封外壳封装，外形尺寸见附录一图22。
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引脚号 |
1 |
2 |
3 |
|
功能 |
G |
S |
D |
三、绝对最大额定值
栅源电压 ±20V 耗散功率（TA=+25℃） 150W
工作温度范围(TJ) -55~+
持续电流（TA=+
脉冲电流
四、电特性
除非另有说明 TA=+25℃。
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参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
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最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
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漏源击穿电压 |
BVDSS |
VGS=0, ID=250μA |
100 |
|
|
V |
|
栅源阈值电压 |
VGS(th) |
VDS= |
2.0 |
|
4.0 |
V |
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漏源漏电流 |
IDSS |
VDS=100V, VGS=0V |
|
|
25 |
μA |
|
VDS=100V, VGS=0V TJ= |
|
|
250 |
|||
|
栅源漏电流 |
IGSS |
VGS=20V |
|
|
±100 |
nA |
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漏源导通电阻 |
Ron |
VGS=10V, ID= |
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90 |
mΩ |
|
正向跨导 |
gts |
VDS=50V, ID= |
8.7 |
|
|
S |
|
开关导通时间* |
ton |
VDD=50V,ID= |
|
11 |
|
ns |
|
开关关断时间* |
toff |
VDD=25V,ID= |
|
53 |
|
ns |
|
上升时间 |
tr |
VDD=50V,ID= |
|
44 |
|
ns |
五、注意事项
1．该器件为静电敏感器件，在运输、保管、安装、调试中应注意采取静电防护措施。
2．应用中，若要进一步减小导通时间和关断时间，在输入端需外接高速功率MOSFET驱动器，
如HJ4426/HJ4427/HJ4428 等。