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HJ540 NMOSFET晶体管

HJ540 NMOSFET晶体管

一、概述HJ540是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管,具有非常低的导通电阻(90mΩ)和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作温度达到175℃以上。HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的,外壳可以接任一电位,使用方便,可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。二、电原理图及封装形式采用TO-257金属全密封外壳
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产品描述

 

 

一、概述

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管,具有非常低的导通电阻(90mΩ)和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作温度达到175 以上。

HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的,外壳可以接任一电位,使用方便,可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。

二、电原理图及封装形式

采用 TO-257金属全密封外壳封装,外形尺寸见附录一图22

 

引脚号

1

2

3

功能

G

S

D

 

 

 

 

三、绝对最大额定值

栅源电压                        ±20V         耗散功率(TA=+25           150W

工作温度范围(TJ)            -55~+175         贮存温度                   -55~+175

持续电流(TA=+25)              28A         持续电流(TA=+100)               20A 

脉冲电流                        110A         漏源耐压BVDS                  100V

 

四、电特性

除非另有说明 TA=+25

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

漏源击穿电压

BVDSS

VGS=0, ID=250μA

100

 

 

V

栅源阈值电压

VGS(th)

VDS= VGS, ID=250μA

2.0

 

4.0

V

漏源漏电流

IDSS

VDS=100V, VGS=0V

 

 

25

μA

VDS=100V, VGS=0V TJ=150

 

 

250

栅源漏电流

IGSS

VGS=20V

 

 

±100

nA

漏源导通电阻

Ron

VGS=10V, ID=17A

 

 

90

正向跨导

gts

VDS=50V, ID=17A

8.7

 

 

S

开关导通时间*

ton

VDD=50V,ID=17A,VGS=10V

 

11

 

ns

开关关断时间*

toff

VDD=25V,ID=0.5A,VGS=10V

 

53

 

ns

上升时间

tr

VDD=50V,ID=17A,VGS=10V

 

44

 

ns

 

五、注意事项

1.该器件为静电敏感器件,在运输、保管、安装、调试中应注意采取静电防护措施。

 2.应用中,若要进一步减小导通时间和关断时间,在输入端需外接高速功率MOSFET驱动器,

HJ4426/HJ4427/HJ4428 等。

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