陕西航晶微电子有限公司是一家从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业，以其优异的模拟电路应用设计及超高温抗恶劣环境产品为特色。
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HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
一、概述
HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统以及测井等高温环境中。
主要特点有：
漏源电压VDS -30V
连续漏电流ID -5.3A
栅电容小 790pF
开关速度快
极低的导通电阻RDS(ON)
工作温度 200℃
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
采用 TO-257金属全密封外壳封装，外形尺寸见附录一图22。
|
引脚号 |
1 |
2 |
3 |
|
功能 |
G |
D |
S |
四、绝对最大额定值
漏源电压VDS -30V 栅源电压VGS ±20
连续电流能力ID(TA=
ID(TA=
结温(TJ) +
五、电特性
除非另有说明，TA=+
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
击穿电压 |
BVDS |
VGS=0, ID=-250μA |
36.0 |
|
|
V |
|
阈值电压 |
VTH |
VDS = |
-1 |
|
-3 |
V |
|
漏电流 |
IGSS |
VDS=0V, VGS=±20V |
|
|
±100 |
nA |
|
零栅压漏电流 |
IDSS |
VDS=-30V, VGS=0V |
|
|
-1 |
μA |
|
VDS=-24V, VGS=0V |
|
|
-25 |
μA |
||
|
导通电阻* |
Ron |
VGS=-10V，ID= |
|
|
80 |
mΩ |
|
VGS=-4.5V，ID= |
|
|
90 |
mΩ |
||
|
正向跨导 |
gFS |
VDS=-10V, ID=- |
|
10 |
|
S |
|
二极管正向压降 |
VSD |
IS= |
|
1.2 |
|
V |
|
二极管连续电流 |
IS |
VD= VG=0V, VS=-1.2V |
|
-2.08 |
|
A |
|
开关导通延时时间* |
td(on) |
输入脉冲：0~10V，
VGS=-10V, ID=
VDS=-15V，RD=15Ω
RG=6Ω |
|
12 |
|
ns |
|
开关导通上升时间 |
tr |
|
20 |
|
ns |
|
|
开关关断延时时间 |
td(off) |
|
45 |
|
ns |
|
|
开关关断下降时间 |
tf |
|
47 |
|
ns |
|
|
* 脉冲宽度≤300us,占空比≤2% |
||||||