HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
一、概述
HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统以及测井等高温环境中。
主要特点有：
漏源电压VDS -30V
连续漏电流ID -5.3A
栅电容小 790pF
开关速度快
极低的导通电阻RDS(ON)
工作温度 200℃
二、电原理图
三、封装形式及引出端功能
采用 TO-257金属全密封外壳封装，外形尺寸见附录一图22。
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引脚号 |
1 |
2 |
3 |
|
功能 |
G |
D |
S |
四、绝对最大额定值
漏源电压VDS -30V 栅源电压VGS ±20
连续电流能力ID(TA=
ID(TA=
结温(TJ) +
五、电特性
除非另有说明，TA=+
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参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
|
击穿电压 |
BVDS |
VGS=0, ID=-250μA |
36.0 |
|
|
V |
|
阈值电压 |
VTH |
VDS = |
-1 |
|
-3 |
V |
|
漏电流 |
IGSS |
VDS=0V, VGS=±20V |
|
|
±100 |
nA |
|
零栅压漏电流 |
IDSS |
VDS=-30V, VGS=0V |
|
|
-1 |
μA |
|
VDS=-24V, VGS=0V |
|
|
-25 |
μA |
||
|
导通电阻* |
Ron |
VGS=-10V，ID= |
|
|
80 |
mΩ |
|
VGS=-4.5V，ID= |
|
|
90 |
mΩ |
||
|
正向跨导 |
gFS |
VDS=-10V, ID=- |
|
10 |
|
S |
|
二极管正向压降 |
VSD |
IS= |
|
1.2 |
|
V |
|
二极管连续电流 |
IS |
VD= VG=0V, VS=-1.2V |
|
-2.08 |
|
A |
|
开关导通延时时间* |
td(on) |
输入脉冲：0~10V，
VGS=-10V, ID=
VDS=-15V，RD=15Ω
RG=6Ω |
|
12 |
|
ns |
|
开关导通上升时间 |
tr |
|
20 |
|
ns |
|
|
开关关断延时时间 |
td(off) |
|
45 |
|
ns |
|
|
开关关断下降时间 |
tf |
|
47 |
|
ns |
|
|
* 脉冲宽度≤300us,占空比≤2% |
||||||