HJ321A/HJ321B低漂移陀螺变换放大器
HJ321A/HJ321B低漂移陀螺变换放大器
一、概述
HJ
最大线性误差和对称性误差小于±2%;
可以独立使用器件中的某些功能,如相敏解调器;
外接元件少,使用方便。
二、电原理图
HJ
HJ321B电原理图
三、封装形式及引出端功能
1.封装形式
采用F14-02陶瓷扁平全密封封装,外形尺寸见附录一图9。
(顶视图)
2.引出端功能
引脚号 |
符号 |
功能说明 |
引脚号 |
符号 |
功能说明 |
1 |
VEE |
负电源 |
8 |
NC |
空 |
2 |
INR |
基准信号输入端 |
9 |
NC |
空 |
3 |
VCC |
正电源 |
10 |
J |
相敏解调器输出检测端 |
4 |
-IN |
滤波器反相输入端 |
11 |
IN1 |
相敏解调器输入端 |
5 |
OUT |
低通滤波器输出端 |
12 |
GND |
地 |
6 |
NC |
空 |
13 |
OA1 |
调零端 |
7 |
C1 |
滤波电容端 |
14 |
OA2 |
调零端 |
四、绝对最大额定值
正电源电压VCC +18V 负电源电压VEE -18V
贮存温度 -55~+
耗散功率 600mW 工作温度范围 -55~+
五、电特性(除非另有说明,Vcc=+15V,VEE=-15V,-55℃≤TA≤+
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
||
最小值 |
典型值 |
最大值 |
||||
直流输出零位电压 |
VOZ |
TA=+ |
|
2 |
20 |
mV |
直流输出零位电压
温度漂移系数 |
αVOZ |
|
|
20 |
50 |
μV/℃ |
输出电压范围 |
VOPP |
|
±12 |
|
|
V |
线性误差 |
ERL |
TA=+ |
|
0.5 |
2 |
% |
对称性 |
ERS |
TA=+ |
|
0.5 |
2 |
% |
低通滤波器增益 |
|
TA=+ |
|
-1 |
|
V/V |
低通滤波器截止频率*( HJ |
fc |
TA=+ |
|
750 |
|
Hz |
静态功耗 |
PC |
TA=+ |
|
120 |
240 |
mW |
*该项参数设计保证
六、典型应用
1.HJ
2.HJ321B应用电路
推荐:C1=0.1µF,C2=0.047µF。本图中,低通滤波器完成滤波—积分功能。
七、应用注意事项
1.用时,应在最靠近正、负电源端对地各接一个1~5μF的钽电容。
2.HJ
3.HJ
4.若VIN和VR之间有相位差,需要补偿,可在VR通道外置移相电路,推荐移相电路如下。
模拟电路应用技巧:
集成电路电浪涌的产生和预防
1.什么是电浪涌(电过载EOS)
电源电网的波动,电路状态的变化,外来干扰信号的馈入以及旁邻元器件的失效,都会在电路中产生峰值很高的电流或电压脉冲,称为电浪涌(电过载EOS),电浪涌会使器件瞬间工作在超过最大额定值的状态下。电浪涌的平均功率很小,但瞬时功率很大,足以引起器件失效。有时较低功率的浪涌也会引起器件自激或CMOS电路闩锁效应而导致失效。电浪涌引起的失效占集成电路使用失效的50%以上。
2.电路中产生电浪涌的原因:
(a)数字电路翻转可产生浪涌电流。数字电路的翻转过程往往是部分晶体管由导通转为截止,而另一部分晶体管由截止转为导通。晶体管都有相应的开关时间,即存储电荷的充放电时间,翻转时会出现两部分晶体管同时导通,就在电路中形成了浪涌电流。
(b)电容负载接通时产生浪涌电流。开关电路驱动电容负载时,当电路中有电压突变时,由于电容上电压不能突变,就会产生一个为电容充电的瞬间电流。其大小为
(c)电感负载关断时产生浪涌电压。当电路由开态向关态转换时,由于电感上的电流不能突变,在电感上就会产生一个阻止电流变化的浪涌电压。其大小为 UL=-L(