陕西航晶微电子有限公司是一家从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业，以其优异的模拟电路应用设计及超高温抗恶劣环境产品为特色。
©2020 陕西航晶微电子有限公司 版权所有陕ICP备19019842号-1
公司电话：
029-89259995
公司邮箱：
hj@hangjingic.com
公司地址：
西安航天基地工业二路299号3号楼9层
微信公众号
·F081/F082/F084低功耗单/双/四JFET输入运算放大器
·F081/F082/F084低功耗单/双/四JFET输入运算放大器
一、概述
F081∕F082∕F084分别为单∕双∕四JFET输入运算放大器，内含频率补偿和输出保护电路，采用单片Bi-JFET兼容工艺制成。是一种高输入阻抗、高转换速率、低功耗运算放大器，可广泛应用于高速数据采集系统、高速A/D转换器、采样-保持电路、精密测量仪等电子系统中。该产品引出端排列和性能参数与国外TL081/TL082/TL084相同，可以互相代换。采用黑瓷表贴封装形式，尤其适合军工电子系统应用。主要特点有：
输入偏置电流低 30pA
输入失调电流低 5pA
增益带宽高 4MHz
电源电流低 1.4mA/单路运放
黑瓷表贴封装
二、电原理图（F081）
三、封装形式及引出端功能
采用H08-02黑瓷扁平和H14-02黑瓷扁平封装，外形尺寸见附录一图10。
| F081 | F082 | F084 |
 |
 |
 |
| （H08-02•顶视图） | （H08-02•顶视图） |
（H14 -02•顶视图） |
四、绝对最大额定值
电源电压 ±18V 差模输入电压 ± 30V
共模输入电压 ±15V 工作温度范围 -55~+125℃
耗散功率 500mW（H14-02） 贮存温度 -65~+150℃
400mW（H08-02） 引线焊接温度（10s） +255℃
五、电特性
除非另有说明，VCC=+15V，VEE=-15V，-55℃≤TA≤+125℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
输入失调电压 |
VIO |
TA=+ |
|
0.5 |
6 |
mV |
|
|
|
|
2 |
10 |
||||
|
输入失调电压
温度漂移系数 |
αVIO |
|
|
10 |
|
µV/℃ |
|
|
输入失调电流 |
IIO |
TA=+ |
|
5 |
100 |
pA |
|
|
|
|
0.5 |
3 |
nA |
|||
|
输入偏置电流 |
IIB |
TA=+ |
|
30 |
200 |
pA |
|
|
|
|
1 |
5 |
nA |
|||
|
输入共模电压范围* |
VICM |
TA=+ |
±11 |
±15 |
|
V |
|
|
共模抑制比 |
CMRR |
TA=+ |
80 |
100 |
|
dB |
|
|
开环电压增益 |
AVD |
RL=2kΩ
VO=±10V |
TA=+ |
88 |
106 |
|
dB |
|
|
82 |
|
|
||||
|
输出电压幅度 |
Vopp |
RL=2kΩ |
TA=+ |
±12 |
±14 |
|
V |
|
|
±10 |
±12 |
|
||||
|
电源电压抑制比 |
PSRR |
TA=+ |
80 |
100 |
|
dB |
|
|
单位增益带宽* |
BW |
TA=+ |
|
4 |
|
MHz |
|
|
转换速率* |
SR |
TA=+ |
8 |
13 |
|
V/µs |
|
|
电源电流（单个OP） |
IS |
TA=+ |
|
1.4 |
2.8 |
mA |
|
模拟电路应用技巧：
运算放大器输入保护环的应用
随着OP放大器的性能提高，偏流由nA级降至极小的pA级，原本不成为问题的印制基板、连接器、开关等元件的绝缘材料以及从其表面流过的漏电流等就不能忽视了。
如图1所示这样的印制基板，基板上一定有OP放大器的输入端口，还布有OP放大器自身所需的电源线。实际的印制基板上，如图所示，用R1表示漏电阻（也称绝缘电阻），R1除了基板材料的体积电阻外，还包括表面上黏附的尘埃、残留的助焊剂以及吸收的湿气等产生的阻抗。在普通的基板材料中将R1的值保持在1012Ω以上是相当困难的，在实际使用状态中，根据使用环境的不同也有差别，有时也会有连1011Ω也难达到的例子。
