*HJ6573高温程控双运算放大器
*HJ6573高温程控双运算放大器
一、概述
HJ6573是一款高温通用程控单片双运算放大器。具有工作温度范围宽、输出电压范围宽、电源电压范围宽和静态功耗低等特点。采用CMOS特种工艺技术，具有高温应用拓宽空间，保障了器件能够在200℃高温下长期连续可靠工作。器件的工作电流、静态功耗、负载能力、压摆率和增益带宽等性能可以通过外部电阻RSET 设置偏置电流ISET进行程控，提供了一种优化电特性的折中选择方案。该器件主要应用于测井、航空、航天、汽车以及其他恶劣环境中,适合电池供电或低压供电系统。其主要特点有：
单电源电压（或双电源） 3V～30V（±1.5V～±15 V）
输出电压范围宽（单电源） 0.03V～VCC -0.02V
内部补偿，无需外接电容
两个偏置电流ISET设置端，分别程控两个运算放大器特性
宽的ISET设定范围 2～750μA
电源电流低(全部) 0.6mA
工作温度范围宽 -55～+200℃
二、封装形式及引出端功能
采用D14S2陶瓷双列直插和H14-02黑瓷扁平封装，外形尺寸见附录一图1和图10。
（D14S2•顶视图） （H14-02•顶视图）
三、绝对最大额定值
电源电压(VCC～VEE) 0.5～36V 工作温度范围 -55~ +180℃
储存温度 -65~ +180℃ 引线焊接温度（10s） +300℃
四、电特性
除非另有说明，ISET= 200μA；RL=10mΩ；CL=50pF；TA=25℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
输入失调电压 |
VIO |
VCC=5V VEE=0V |
|
±8 |
±30 |
mV |
|
|
VCC=7.5V VEE=-7.5V |
|
|
±8 |
±30 |
|||
|
TA=-55～＋200℃ |
|
|
±40 |
||||
|
输入偏置电流 |
IIB |
|
|
|
50 |
pA |
|
|
TA=-55～+200℃ |
|
|
5 |
nA |
|||
|
输入失调电流 |
IIO |
|
|
|
100 |
pA |
|
|
|
TA=-55～＋200℃ |
|
|
5 |
nA |
||
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
输入失调电压 温度漂移系数 |
αVIO |
TA--55～+200℃ |
|
20 |
|
µV/℃ |
|
|
输出电压范围 RL=100kΩ对VEE |
VOR |
VCC=5V VEE=0V |
0.1 |
|
4.8 |
V |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
0.1 |
|
14.8 |
||||
|
输入共模 电压范围* |
VICR |
VCC=5V VEE=0V |
|
|
3.0 |
V |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
|
|
13.0 |
||||
|
开环电压增益 |
AVO |
VCC=5V VEE=0V，VO=3VPP |
1 |
2 |
|
V/mV |
|
|
VCC=15V VEE=0V，VO=10VPP |
1 |
4 |
|
||||
|
共模抑制比 |
CMRR |
VCC=5V VEE=0V |
40 |
55 |
|
dB |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
50 |
70 |
|
||||
|
电源电压抑制比 |
PSRR |
VCC=5V VEE=0V |
45 |
54 |
|
dB |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
54 |
67 |
|
||||
|
输出源电流 |
IOH |
VCC=5V VEE=0V |
550 |
800 |
|
µA |
|
|
转换速率 |
SR |
|
5.0 |
7.0 |
|
V/µs |
|
|
增益带宽 |
GBW |
|
1.5 |
3 |
|
MHz |
|
|
相位裕度* |
ΦM |
VCC=5V VEE=0V |
|
48 |
|
Degree |
|
|
通道隔离度 |
CSR |
|
|
80 |
|
dB |
|
|
电源电流 (每个OP) |
ICC |
VCC=5V，ISET= 200μA ， RL=∞ |
|
1.5 |
3.4 |
mA |
|
五、应用说明
1．关于偏置电流ISET设置
a. 该器件共有两个偏置电流ISET设置端，每个运放有独立的ISET设置端，用一个电阻设置偏置电流，该电阻连接在ISET 端和VEE端之间。
b. 每个运放的偏置电流ISETA,或ISETB和电阻关系式
c. 若其中一个运放不使用，可将该运放的ISET 端连至Vcc 端，减少功耗。
2．输出高电平VOH与ISET、RL 的关系
VOH=4×ISET×RL –0.05(V)
式中：RL —负载电阻（kΩ）
ISET —单个运放的偏置电流（mA）
通常输出高电平负载能力低于低电平负载能力。