陕西航晶微电子有限公司是一家从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业，以其优异的模拟电路应用设计及超高温抗恶劣环境产品为特色。
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*HJ6573高温程控双运算放大器
*HJ6573高温程控双运算放大器
一、概述
HJ6573是一款高温通用程控单片双运算放大器。具有工作温度范围宽、输出电压范围宽、电源电压范围宽和静态功耗低等特点。采用CMOS特种工艺技术，具有高温应用拓宽空间，保障了器件能够在200℃高温下长期连续可靠工作。器件的工作电流、静态功耗、负载能力、压摆率和增益带宽等性能可以通过外部电阻RSET 设置偏置电流ISET进行程控，提供了一种优化电特性的折中选择方案。该器件主要应用于测井、航空、航天、汽车以及其他恶劣环境中,适合电池供电或低压供电系统。其主要特点有：
单电源电压（或双电源） 3V～30V（±1.5V～±15 V）
输出电压范围宽（单电源） 0.03V～VCC -0.02V
内部补偿，无需外接电容
两个偏置电流ISET设置端，分别程控两个运算放大器特性
宽的ISET设定范围 2～750μA
电源电流低(全部) 0.6mA
工作温度范围宽 -55～+200℃
二、封装形式及引出端功能
采用D14S2陶瓷双列直插和H14-02黑瓷扁平封装，外形尺寸见附录一图1和图10。
（D14S2•顶视图） （H14-02•顶视图）
三、绝对最大额定值
电源电压(VCC～VEE) 0.5～36V 工作温度范围 -55~ +180℃
储存温度 -65~ +180℃ 引线焊接温度（10s） +300℃
四、电特性
除非另有说明，ISET= 200μA；RL=10mΩ；CL=50pF；TA=25℃。
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
输入失调电压 |
VIO |
VCC=5V VEE=0V |
|
±8 |
±30 |
mV |
|
|
VCC=7.5V VEE=-7.5V |
|
|
±8 |
±30 |
|||
|
TA=-55～＋200℃ |
|
|
±40 |
||||
|
输入偏置电流 |
IIB |
|
|
|
50 |
pA |
|
|
TA=-55～+200℃ |
|
|
5 |
nA |
|||
|
输入失调电流 |
IIO |
|
|
|
100 |
pA |
|
|
|
TA=-55～＋200℃ |
|
|
5 |
nA |
||
|
参数名称 |
符号 |
测试条件 |
规范值 |
单位 |
|||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
|
输入失调电压 温度漂移系数 |
αVIO |
TA--55～+200℃ |
|
20 |
|
µV/℃ |
|
|
输出电压范围 RL=100kΩ对VEE |
VOR |
VCC=5V VEE=0V |
0.1 |
|
4.8 |
V |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
0.1 |
|
14.8 |
||||
|
输入共模 电压范围* |
VICR |
VCC=5V VEE=0V |
|
|
3.0 |
V |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
|
|
13.0 |
||||
|
开环电压增益 |
AVO |
VCC=5V VEE=0V，VO=3VPP |
1 |
2 |
|
V/mV |
|
|
VCC=15V VEE=0V，VO=10VPP |
1 |
4 |
|
||||
|
共模抑制比 |
CMRR |
VCC=5V VEE=0V |
40 |
55 |
|
dB |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
50 |
70 |
|
||||
|
电源电压抑制比 |
PSRR |
VCC=5V VEE=0V |
45 |
54 |
|
dB |
|
|
VCC=15V VEE=0V |
54 |
67 |
|
||||
|
输出源电流 |
IOH |
VCC=5V VEE=0V |
550 |
800 |
|
µA |
|
|
转换速率 |
SR |
|
5.0 |
7.0 |
|
V/µs |
|
|
增益带宽 |
GBW |
|
1.5 |
3 |
|
MHz |
|
|
相位裕度* |
ΦM |
VCC=5V VEE=0V |
|
48 |
|
Degree |
|
|
通道隔离度 |
CSR |
|
|
80 |
|
dB |
|
|
电源电流 (每个OP) |
ICC |
VCC=5V，ISET= 200μA ， RL=∞ |
|
1.5 |
3.4 |
mA |
|
五、应用说明
1．关于偏置电流ISET设置
a. 该器件共有两个偏置电流ISET设置端，每个运放有独立的ISET设置端，用一个电阻设置偏置电流，该电阻连接在ISET 端和VEE端之间。
b. 每个运放的偏置电流ISETA,或ISETB和电阻关系式
c. 若其中一个运放不使用，可将该运放的ISET 端连至Vcc 端，减少功耗。
2．输出高电平VOH与ISET、RL 的关系
VOH=4×ISET×RL –0.05(V)
式中：RL —负载电阻（kΩ）
ISET —单个运放的偏置电流（mA）
通常输出高电平负载能力低于低电平负载能力。