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*HJ6573高温程控双运算放大器

*HJ6573高温程控双运算放大器

一、概述HJ6573是一款高温通用程控单片双运算放大器。具有工作温度范围宽、输出电压范围宽、电源电压范围宽和静态功耗低等特点。采用CMOS特种工艺技术,具有高温应用拓宽空间,保障了器件能够在200℃高温下长期连续可靠工作。器件的工作电流、静态功耗、负载能力、压摆率和增益带宽等性能可以通过外部电阻RSET设置偏置电流ISET进行程控,提供了一种优化电特性的折中选择方案。该器件主要应用于测井、航空、航
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一、概述

HJ6573是一款高温通用程控单片双运算放大器。具有工作温度范围宽、输出电压范围宽、电源电压范围宽和静态功耗低等特点。采用CMOS特种工艺技术,具有高温应用拓宽空间,保障了器件能够在200高温下长期连续可靠工作。器件的工作电流、静态功耗、负载能力、压摆率和增益带宽等性能可以通过外部电阻RSET 设置偏置电流ISET进行程控,提供了一种优化电特性的折中选择方案。该器件主要应用于测井、航空、航天、汽车以及其他恶劣环境中,适合电池供电或低压供电系统。其主要特点有:

单电源电压(或双电源)          3V30V±1.5V±15 V

输出电压范围宽(单电源)              0.03VVCC -0.02V

内部补偿,无需外接电容

两个偏置电流ISET设置端,分别程控两个运算放大器特性

宽的ISET设定范围                             2750μA

电源电流低(全部)                                0.6mA

工作温度范围宽                             -55+200

 

二、封装形式及引出端功能

采用D14S2陶瓷双列直插和H14-02黑瓷扁平封装,外形尺寸见附录一图1和图10

                 

D14S2顶视图)                                      H14-02顶视图)

 

三、绝对最大额定值

电源电压(VCCVEE)       0.536V        工作温度范围               -55~ +180

储存温度                -65~ +180        引线焊接温度(10s            +300℃

 

四、电特性

除非另有说明,ISET= 200μARL=10mΩCL=50pFTA=25

 

 

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

输入失调电压

VIO

VCC=5V   VEE=0V

 

±8

±30

mV

VCC=7.5V  VEE=-7.5V

 

 

±8

±30

TA=-55~+200

 

 

±40

输入偏置电流

IIB

 

 

 

50

pA

TA=-55+200

 

 

5

nA

输入失调电流

IIO

 

 

 

100

pA

 

TA=-55~+200

 

 

5

nA

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

输入失调电压

温度漂移系数

αVIO

TA--55+200

 

20

 

µV/

输出电压范围

RL=100kΩVEE

VOR

VCC=5V  VEE=0V

0.1

 

  4.8

V

VCC=15V  VEE=0V

0.1

 

14.8

输入共模

电压范围*

VICR

VCC=5V  VEE=0V

 

 

3.0

V

VCC=15V  VEE=0V

 

 

13.0

开环电压增益

AVO

VCC=5V  VEE=0VVO=3VPP

1

2

 

V/mV

VCC=15V  VEE=0VVO=10VPP

1

4

 

共模抑制比

CMRR

VCC=5V  VEE=0V

40

55

 

dB

VCC=15V  VEE=0V

50

70

 

电源电压抑制比

PSRR

VCC=5V  VEE=0V

45

54

 

dB

VCC=15V  VEE=0V

54

67

 

输出源电流

IOH

VCC=5V  VEE=0V

550

800

 

µA

转换速率

SR

 

5.0

7.0

 

V/µs

增益带宽

GBW

 

1.5

3

 

MHz

相位裕度*

ΦM

VCC=5V  VEE=0V

 

48

 

Degree

通道隔离度

CSR

 

 

80

 

dB

电源电流

(每个OP)

ICC

   VCC=5VISET= 200μA

 RL=

 

1.5

3.4

mA

 

 

五、应用说明

1.关于偏置电流ISET设置

  a. 该器件共有两个偏置电流ISET设置端,每个运放有独立的ISET设置端,用一个电阻设置偏置电流,该电阻连接在ISET 端和VEE端之间。

    b. 每个运放的偏置电流ISETA,ISETB和电阻关系式

     

 

 

c. 若其中一个运放不使用,可将该运放的ISET 端连至Vcc 端,减少功耗。

2输出高电平VOHISETRL 的关系

           VOH=4×ISET×RL –0.05(V)

     式中:RL负载电阻(

           ISET 单个运放的偏置电流(mA

通常输出高电平负载能力低于低电平负载能力。

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