产品&服务
- 商品图片
- 产品名称
- 型号
- 产品概述
- 驱动持续电流(IC/A)
- 击穿电压(VCEO/V)
- 工作温度 （TA）
- 关键参数
- 封装 （Package）
- 附件
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- HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关
- 型号 HJ190KT
- 产品概述 该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.2
- 击穿电压(VCEO/V) -45
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:50Ω
- 封装 （Package） F14-01C
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- HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列
- 型号 HJ622A
- 产品概述 HJ622A / MXT622A是三极管阵列集成电路
- 驱动持续电流(IC/A) 0.4
- 击穿电压(VCEO/V) -45
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 fT:200MHz
- 封装 （Package） F14-01B
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- HJ198P高温五PNP三极管阵列
- 型号 HJ198P
- 产品概述 HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.4
- 击穿电压(VCEO/V) 45
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 fT:200MHz
- 封装 （Package） F16-01C
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- HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列
- 型号 HJ251A
- 产品概述 HJ251A/ MXT251A是三极管阵列集成电路
- 驱动持续电流(IC/A) 0.4
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 fT:250MHz
- 封装 （Package） F14-01B
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- HJ2803J大电流八达林顿阵列
- 型号 HJ2803J
- 产品概述 HJ2803J是高压大电流达林顿阵列，由八个共发射极达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.5
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） J18S2、CSOP18-02
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- HJ2004七达林顿阵列
- 型号 HJ2004
- 产品概述 HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.3
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） J16S2、H16-02、F16-01
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- HJ2003七达林顿阵列
- 型号 HJ2003
- 产品概述 HJ2003是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.3
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） J16S2、H16-02、F16-01
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- HJ569高温四路磁保持继电器驱动电路
- 型号 HJ569
- 产品概述 HJ569是一款四路磁保持继电器驱动电路
- 驱动持续电流(IC/A) 1
- 击穿电压(VCEO/V) 75
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 VO(SAT):0.15V
- 封装 （Package） F14-02
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- HJ269A/ HJ269B/ HJ269C/ HJ269D 四路双冗余输出驱动电路
- 型号 HJ269
- 产品概述 HJ269用于发送指令的输出电路，能够驱动继电器或大电流感性负载。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.2
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） HD14-02A
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- HJ169四路双冗余输出驱动电路
- 型号 HJ169
- 产品概述 HJ169用于发送指令的输出电路，能够驱动继电器或大电流感性负载。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.2
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 VCE(SAT):0.3V IOD:20μA
- 封装 （Package） MP-14b
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- HJ2804J大电流八达林顿阵列
- 型号 HJ2804J
- 产品概述 HJ2804J是高压大电流达林顿阵列，由八个共发射极达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.5
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:500μA
- 封装 （Package） J18S2、CSOP18-02
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