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HJ1200-080 Sic MOSFET

HJ1200-080 Sic MOSFET

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产品描述

    HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。Sic是一种先进的半导体的材质,它具有类似于金刚石的硬度、数倍于Si材质的禁带宽度。载流子迁移速度、击穿电压、热导率以及耐高温特性均远优于传统硅材质。用Sic材质制作的NMOS管在高温、高压、高频、大功率、抗辐射、微波等领域得到广泛应用。在石油探测领域主要用于电机驱动、高温BUCKDC//DC电源、高频发射等方面。

    由于超宽的禁带能级,使得用Sic材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj250℃下MOS管能够可靠关断,保证高温下输入低电平的噪声容限,Sic MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。HJ1200-080的可靠导通范围18VVGS25V,可靠关断范围-10VVGS-2V。它采用有热沉块的TO-258金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)分别相互绝缘,使用方便。其主要特点有:

  • 输入电容小,可实现高速开关       
  • 耐压高(1200V
  • 导通电阻小(RON80mΩ)          
  • 输出电流大(≥35A,∞散热器)
  • 可直接并联使用                   
  •  无闩锁效应
  • 栅源击穿电压高                    
  •  Tj200
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