陕西航晶微电子有限公司是一家从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业,以其优异的模拟电路应用设计及超高温抗恶劣环境产品为特色。

©2020 陕西航晶微电子有限公司  版权所有陕ICP备19019842号​-1  

公司电话:

029-89259995

公司邮箱:
hj@hangjingic.com

公司地址:
西安航天基地工业二路299号3号楼9层 

微信公众号

HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

MXT190KT2/HJ190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、上升时间短等特点,可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。
所属分类
没有此类产品
产品描述

  一、概述
  MXT190KT2/HJ190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、上升时间短等特点,可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容,可直接代换使用。
  二、电原理图
 
 
  三、封装形式及引出端功能
  采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装,外形尺寸见附录一图9。
 
 

引脚号

符号

功能

1,2,3,12

VTG

控制输入端

4,7,8,10

VI或(VO

信号输入或输出端

6,9

VO或(VI

信号输出或输入端

11,13,14

NC

5

VB

(接最高电位)

  四、绝对最大额定值

漏-源击穿电压BVDS 

28V

工作温度范围

-55~+125℃

耗散功率

600mW

结温

+175℃
 
  五、电特性
  除非另有说明,TA=+25℃。

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

漏-源击穿电压

BVDS

VGS=0, ID=10μA

-28.0

 

 

V

阈值电压

VTH

VS=VB=24V, ID=100μA

-5

-3.0

-2.0

V

栅源正向漏电流

IGSS

VGS=-10V

 

 

500

nA

漏-源导通电阻

Ron

VS=VB=24V, VGS=-10V
ID=10mA

 

50

120

Ω

开关导通上升时间*

tr

输入脉冲:0~10V,
VGS=-10V, ID=10mA

 

 

180

ns

 
  注:1)测试中,5端(衬底)接最高电位,PMOS管S极(源)与5端连接,VGS指栅极与衬底间的电压。
    2)*设计保证
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
暂未实现,敬请期待
暂未实现,敬请期待
上一篇

产品中心

PRODUCT CENTER

文件下载

暂时没有内容信息显示
请先在网站后台添加数据记录。