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HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

MXT190KT2/HJ190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、上升时间短等特点，可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。
所属分类
模拟开关
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产品描述

　　一、概述
　　MXT190KT2/HJ190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、上升时间短等特点，可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。
　　二、电原理图
 
 
　　三、封装形式及引出端功能
　　采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装，外形尺寸见附录一图9。
 
 

引脚号

符号

功能

1，2，3，12

VTG

控制输入端

4，7，8，10

VI或（VO）

信号输入或输出端

6，9

VO或（VI）

信号输出或输入端

11，13，14

NC

空

5

VB

（接最高电位）

　　四、绝对最大额定值

漏-源击穿电压BVDS 

28V

工作温度范围
-55~+125℃

耗散功率

600mW

结温
+175℃
 
　　五、电特性
　　除非另有说明，TA=+25℃。

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

漏-源击穿电压

BVDS

VGS=0, ID=10μA

-28.0

 

 

V

阈值电压

VTH

VS=VB=24V, ID=100μA

-5

-3.0

-2.0

V

栅源正向漏电流

IGSS

VGS=-10V

 

 

500

nA

漏-源导通电阻

Ron

VS=VB=24V, VGS=-10V
ID=10mA

 

50

120

Ω

开关导通上升时间*

tr

输入脉冲：0~10V，
VGS=-10V, ID=10mA

 

 

180

ns
 
　　注：1）测试中，5端（衬底）接最高电位，PMOS管S极(源)与5端连接，VGS指栅极与衬底间的电压。
　　　　2）*设计保证
未找到相应参数组，请于后台属性模板中添加
暂未实现,敬请期待
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