公司地址:
西安航天基地工业二路299号3号楼9层 

公司邮箱:
hj@hangjingic.com

公司电话:

029-89259995

HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

MXT190KT2/HJ190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、上升时间短等特点,可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。
所属分类
没有此类产品
我要询价
产品描述

  一、概述
  MXT190KT2/HJ190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、上升时间短等特点,可广泛应用于电平转化、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容,可直接代换使用。
  二、电原理图
 
 
  三、封装形式及引出端功能
  采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装,外形尺寸见附录一图9。
 
 

引脚号

符号

功能

1,2,3,12

VTG

控制输入端

4,7,8,10

VI或(VO

信号输入或输出端

6,9

VO或(VI

信号输出或输入端

11,13,14

NC

5

VB

(接最高电位)

  四、绝对最大额定值

漏-源击穿电压BVDS 

28V

工作温度范围

-55~+125℃

耗散功率

600mW

结温

+175℃
 
  五、电特性
  除非另有说明,TA=+25℃。

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

漏-源击穿电压

BVDS

VGS=0, ID=10μA

-28.0

 

 

V

阈值电压

VTH

VS=VB=24V, ID=100μA

-5

-3.0

-2.0

V

栅源正向漏电流

IGSS

VGS=-10V

 

 

500

nA

漏-源导通电阻

Ron

VS=VB=24V, VGS=-10V
ID=10mA

 

50

120

Ω

开关导通上升时间*

tr

输入脉冲:0~10V,
VGS=-10V, ID=10mA

 

 

180

ns

 
  注:1)测试中,5端(衬底)接最高电位,PMOS管S极(源)与5端连接,VGS指栅极与衬底间的电压。
    2)*设计保证
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
暂未实现,敬请期待
暂未实现,敬请期待
上一篇

产品中心

PRODUCT CENTER

相关附件

暂时没有内容信息显示
请先在网站后台添加数据记录。

在线预订单

产品信息
描述
产品描述内容
添加产品
您还没有添加任何产品
缩略图
产品名称
产品编号
零售价(元)
预订数量
总价(元)
操作
HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关
0.00
-
+
0.00
移除
总计:
0
*
预订备注
联系信息
*
联系人
*
手机
*
验证码
hangjing
换一张
提交
hangjing
name
code
price
-
+
price
移除
操作成功!