HJ2003/HJ2004七达林顿阵列_陕西航晶微电子有限公司

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HJ2003/HJ2004七达林顿阵列

HJ2003，HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。每个通路额定电流为250mA，能承受400mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等。

所属分类

产品描述

　　一、概述

　　主要特点有：

　　输出耐电压达50V；

　　每路驱动器输出电流250mA（峰值400mA）；

　　输出可并联应用，提高输出电流；

　　输入与TTL/CMOS兼容（HJ2003）；

　　输入与CMOS兼容（HJ2004）；

　　内含续流二极管。

　　二、电原理图

　　三、封装形式及引出端功能

　　1．封装形式

　　采用J16S2双列16线黑陶瓷熔封和H16-02扁平黑瓷熔封，外形尺寸见附录一图8和图10。

　　2．引出端功能

　　四、绝对最大额定值

　　输出耐压V_OUTn　　　　　　 50V

　　输入电压V_INn　　　　　　　30V

　　集电极电流I_C　　　　　　　300mA

　　基极电流I_B　　　　　　　　25mA

　　耗散功率P_D（T_A=+25℃）　　800mW

　　工作温度范围　　　　　　　-55~+125℃

　　贮存温度范围　　　　　　　-55~+150℃

　　引线焊接温度（10s）　　　 +300℃

　　五、电特性

　　除非另有说明，T_A=+25℃。

参数名称	符号	测试条件	规范值			单位
参数名称	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输出漏电流	I_OD	HJ2003 V_CE=50V T_A=+125℃, V_CE=50V HJ2004 V_CE=50V, V_i=1V			50 100 500	μA
集电极-发射极饱和电压	V_CES	I_C=100mA, I_B=250μA I_C=200mA, I_B=350μA		0.9 1.1	1.1 1.3	V
输入电流（导通）	I_i(ON)	HJ2003, V_i=3.85V HJ2004, V_i=5V V_i=12V		0.93 0.35 1	1.35 0.5 1.45	mA
输入电流（截止）	I_i(OFF)	T_A=+125℃, I_C=500μA	50	65		μA
输入电压	V_i(ON)	HJ2003 V_CE=2V, I_C=200mA V_CE=2V, I_C=250mA HJ2004 V_CE=2V, I_C=125mA V_CE=2V, I_C=200mA V_CE=2V, I_C=275mA			2.4 2.7 5 6 7	V
输入电容	C_i			15	25	pF
导通延迟时间	t_PLH	0.5 V_i ~0.5V₀		0.25	1	μs
截止延迟时间	t_PHL	0.5 V_i ~0.5V₀		0.25	1	μs
箝位二极管漏电流	I_R	V_R=50V T_A=+125℃, V_R=50V			50 100	μA
箝位二极管正向电压	V_F	I_F=350mA		1.7	2	V

HJ2803J/HJ2804J大电流八达林顿阵列

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