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HJ2003/HJ2004七达林顿阵列

HJ2003/HJ2004七达林顿阵列

HJ2003，HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。每个通路额定电流为250mA，能承受400mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等。
所属分类
晶体管阵列
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产品描述

　　一、概述
　　HJ2003，HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。每个通路额定电流为250mA，能承受400mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等。
　　主要特点有：
　　输出耐电压达50V；
　　每路驱动器输出电流250mA（峰值400mA）；
　　输出可并联应用，提高输出电流；
　　输入与TTL/CMOS兼容（HJ2003）；
　　输入与CMOS兼容（HJ2004）；
　　内含续流二极管。
　　二、电原理图
 
　　三、封装形式及引出端功能
　　1．封装形式
　　采用J16S2双列16线黑陶瓷熔封和H16-02扁平黑瓷熔封，外形尺寸见附录一图8和图10。
　　2．引出端功能
 
 
　　四、绝对最大额定值
　　输出耐压VOUTn　　　　　　 50V
　　输入电压VINn　　　　　　　30V
　　集电极电流IC　　　　　　　300mA
　　基极电流IB　　　　　　　　25mA
　　耗散功率PD（TA=+25℃）　　800mW
　　工作温度范围　　　　　　　-55~+125℃
　　贮存温度范围　　　　　　　-55~+150℃
　　引线焊接温度（10s）　　　 +300℃
　　五、电特性
　　除非另有说明，TA=+25℃。

参数名称

符号

测试条件

规范值

单位

最小值

典型值

最大值

输出漏电流

IOD

HJ2003
VCE=50V
TA=+125℃, VCE=50V
HJ2004
VCE=50V, Vi=1V

 

 
50
100
500

μA

集电极-发射极饱和电压

VCES

IC=100mA, IB=250μA
IC=200mA, IB=350μA

 

0.9
1.1

1.1
1.3

V

输入电流（导通）

Ii(ON)

HJ2003, Vi=3.85V
HJ2004, Vi=5V
Vi=12V

 

0.93
0.35
1

1.35
0.5
1.45

mA

输入电流（截止）

Ii(OFF)

TA=+125℃, IC=500μA

50

65

 

μA

输入电压

Vi(ON)

HJ2003
VCE=2V, IC=200mA
VCE=2V, IC=250mA
HJ2004
VCE=2V, IC=125mA
VCE=2V, IC=200mA
VCE=2V, IC=275mA

 

 

2.4
2.7
5
6
7

V

输入电容

Ci

 

 

15

25

pF

导通延迟时间

tPLH

0.5 Vi ~0.5V0

 

0.25

1

μs

截止延迟时间

tPHL

0.5 Vi ~0.5V0

 

0.25

1

μs

箝位二极管漏电流

IR

VR=50V
TA=+125℃, VR=50V

 

 

50
100

μA

箝位二极管正向电压

VF

IF=350mA

 

1.7

2

V
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