HJ2003/HJ2004七达林顿阵列_陕西航晶微电子有限公司

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陕西航晶微电子有限公司是一家从事厚膜混合集成电路和半导体集成电路的设计、开发、生产和服务的高新科技企业，以其优异的模拟电路应用设计及超高温抗恶劣环境产品为特色。

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HJ2003/HJ2004七达林顿阵列

HJ2003，HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。每个通路额定电流为250mA，能承受400mA峰值电流，内设续流二极管，可以驱动电感负载。该器件运用灵活，用来驱动继电器、直流马达、LED显示器、白炽灯、热印头和大功率缓冲器等。

所属分类

晶体管阵列

产品描述

　　一、概述

　　主要特点有：

　　输出耐电压达50V；

　　每路驱动器输出电流250mA（峰值400mA）；

　　输出可并联应用，提高输出电流；

　　输入与TTL/CMOS兼容（HJ2003）；

　　输入与CMOS兼容（HJ2004）；

　　内含续流二极管。

　　二、电原理图

　　三、封装形式及引出端功能

　　1．封装形式

　　采用J16S2双列16线黑陶瓷熔封和H16-02扁平黑瓷熔封，外形尺寸见附录一图8和图10。

　　2．引出端功能

　　四、绝对最大额定值

　　输出耐压V_OUTn　　　　　　 50V

　　输入电压V_INn　　　　　　　30V

　　集电极电流I_C　　　　　　　300mA

　　基极电流I_B　　　　　　　　25mA

　　耗散功率P_D（T_A=+25℃）　　800mW

　　工作温度范围　　　　　　　-55~+125℃

　　贮存温度范围　　　　　　　-55~+150℃

　　引线焊接温度（10s）　　　 +300℃

　　五、电特性

　　除非另有说明，T_A=+25℃。

参数名称	符号	测试条件	规范值			单位
参数名称	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输出漏电流	I_OD	HJ2003 V_CE=50V T_A=+125℃, V_CE=50V HJ2004 V_CE=50V, V_i=1V			50 100 500	μA
集电极-发射极饱和电压	V_CES	I_C=100mA, I_B=250μA I_C=200mA, I_B=350μA		0.9 1.1	1.1 1.3	V
输入电流（导通）	I_i(ON)	HJ2003, V_i=3.85V HJ2004, V_i=5V V_i=12V		0.93 0.35 1	1.35 0.5 1.45	mA
输入电流（截止）	I_i(OFF)	T_A=+125℃, I_C=500μA	50	65		μA
输入电压	V_i(ON)	HJ2003 V_CE=2V, I_C=200mA V_CE=2V, I_C=250mA HJ2004 V_CE=2V, I_C=125mA V_CE=2V, I_C=200mA V_CE=2V, I_C=275mA			2.4 2.7 5 6 7	V
输入电容	C_i			15	25	pF
导通延迟时间	t_PLH	0.5 V_i ~0.5V₀		0.25	1	μs
截止延迟时间	t_PHL	0.5 V_i ~0.5V₀		0.25	1	μs
箝位二极管漏电流	I_R	V_R=50V T_A=+125℃, V_R=50V			50 100	μA
箝位二极管正向电压	V_F	I_F=350mA		1.7	2	V

HJ2003/HJ2004七达林顿阵列

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