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HJ8736 N沟道MOSFET

HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统等环境中。

关键词：

驱动 封装 形式 rds 功率 2.5w vdds 引出 采用 外壳

HJ8736 N沟道MOSFET

图文详情

　　产品特点有：

　　漏源电压   VDDS 30V

　　连续电流   ID 18A

　　极低的导通电阻   RDS(ON)4.8mΩ

　　耗散功率   2.5W

　　采用CSOP08B表贴全密封外壳封装

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