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HJ8736EW HJ8736EW

HJ8736 N沟道MOSFET

HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统等环境中。

所属分类: NMOSFET管



产品概述

　　产品特点有：

　　漏源电压   VDDS 30V

　　连续电流   ID 18A

　　极低的导通电阻   RDS(ON)4.8mΩ

　　耗散功率   2.5W

　　采用CSOP08B表贴全密封外壳封装

关键词:
驱动
封装
形式
rds
功率
2.5w
vdds
引出
采用
外壳


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HJ8736 N沟道MOSFET

HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点，可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统等环境中。
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1000
产品编号
所属分类
NMOSFET管
型号:
HJ8736
驱动持续电流(IC/A):
18
击穿电压(VCEO/V):
65
工作温度 （TA）:
-55～+125
关键参数:
Ron:0.2mΩ
封装 （Package）:
CSOP08B
产品概述:

HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点

数量
-
+
库存:
0
关键词:
驱动
封装
形式
rds
功率
2.5w
vdds
引出
采用
外壳
1
产品描述
参数

　　产品特点有：

　　漏源电压   VDDS 30V

　　连续电流   ID 18A

　　极低的导通电阻   RDS(ON)4.8mΩ

　　耗散功率   2.5W

　　采用CSOP08B表贴全密封外壳封装

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HJ8736 N沟道MOSFET
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