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·HJ1107/HJ1207抗静电高精度低漂移低功耗单/双运算放大器

·HJ1107/HJ1207抗静电高精度低漂移低功耗单/双运算放大器

HJ1107/HJ1207是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的单片双极半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。该电路具有超低失调电压,失调电压温度系数为0.2μV/℃。
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产品描述

  一、概述
  HJ1107/HJ1207是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的单片双极半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。该电路具有超低失调电压,失调电压温度系数为0.2μV/℃。使用中不需要调零、频率补偿和外接保护电路。主要应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、直接耦合放大、仪表放大器、双路匹配放大等要求高精度、低漂移、高可靠及抗静电等信号处理的场合,特别适于放大传感器的微弱信号。可广泛应用于国防、军用、石油勘探和工业领域中要求微型化的高性能仪器仪表中。可替代外的OP07,OP200。
  其特点有:
 
静电损伤阈值电压 ≥4000V 低电压噪声 8nV/
超低输入失调电压(典型) 10μV  低失调电压温度系数 0.2μV/℃
低输入偏置电流 ±1nA 低输入失调电流 ±0.5nA
宽电源电压范围 4.5~40V 电源电流 (单个OP) 440μA
两个运算放大器参数有极好的一致性 不存在输出相位反转现象    
 
  二、封装形式及引出端功能
  1.HJ1107采用T-08金属圆外壳、D08S2陶瓷双列直插和F08-06陶瓷扁平封装。外形尺寸见附录一图28、图1、图9。
(T-08•顶视图)
(D08S2•顶视图)
(F08-06•顶视图)

  2.HJ1207采用T-08金属圆外壳、D08S2陶瓷双列直插和F08-06陶瓷扁平封装。外形尺寸见附录一图28、图1、图9。

(T-08•顶视图)
(D08S2•顶视图)
(F08-06•顶视图)

  三、绝对最大额定值

电源电压 42V 输出短路时间 持续
差模输入电压 42V 最大差模输入电流 20mA
耗散功率 700mW 工作温度范围 -55~+200℃
引线焊接温度(10s) +300℃ ESD (人体) 4.5kV
 
  四、电特性
  除非另有说明,VCC=+15V,VEE=-15V,-55℃≤TA≤+125℃。

参数

符号

测试条件

规范值

单位

最小

典型

最大

输入失调电压

VIO

HJ1107A
HJ1207A

TA=+25℃

-25

10

25

μV

 

-100

 

100

HJ1107B
HJ1207B

TA=+25℃

-75

30

75

 

-150

 

150

HJ1107C
HJ1207C

TA=+25℃

-150

75

150

 

-250

 

250

输入失调电压
温度漂移系数

αVIO

HJ1107A ,HJ1207A

-0.6

0.2

0.6

μV/℃

HJ1107B ,HJ1207B

-1.0

 

1.0

HJ1107C ,HJ1207C

-1.5

 

1.5

输入失调电流

IIO

TA=+25℃

-1.5

0.3

1.5

nA

 

-2.0

 

2.0

输入偏置电流

IIB

TA=+25℃

-1.5

0.2

1.5

nA

 

-2.0

 

2.0

共模输入电压范围**

VCM

TA=+25℃

±13.0

 

 

V

共模抑制比

CMRR

TA=+25℃,VCM=±13V

120

145

 

dB

电源电压抑制比

PSRR

TA=+25℃,VS=±3~±20V

120

145

 

dB

 

开环电压增益

AVD

RL≥10kΩ

TA=+25℃

128

145

 

dB

 

110

 

 

输出电压幅度

Vopp

TA=+25℃

RL≥10kΩ

±13.5

±13.7

 

V

RL≥2kΩ

±13.0

±13.5

 

短路电流

ISC

 

 

43

 

mA

电源电流(单路OP)

IS

TA=+25℃

 

0.44

0.53

mA

增益带宽积*

GBWP

AV=1.0k,RL≥2kΩ

 

1.5

 

MHz

转换速率*

SR

AV=11,VO=4VPP

 

0.5

 

V/μs

输入噪声电压密度**

en

TA=+25℃

fO=10Hz
fO=100Hz
fO=1kHz
fO=10kHz

 

10.0
8.2
8.0
8.0

 

 

nV/

输入噪声电压**

enp-p

TA=+25℃,0.1~10Hz

 

0.25

 

μVp-p

输入噪声电流密度**

In

TA=+25℃,fO =1kHz

 

0.10

 

pA/

静电损伤阈值电压*

ESD

人体模型

4.0

 

 

kV

 
  *样品测试**设计保证
  五、高温电特性
  除非另有说明,VCC=+15V,VEE=-15V,TA=200℃。

参数

符号

测试条件

规范值

单位

最小

典型

最大

输入失调电压

VIO

HJ1107A ,HJ1207 A

-250

150

250

μV

HJ1107B ,HJ1207 B

-500

 

500

HJ1107C ,HJ1207 C

-1000

 

10000

输入失调电流

IIO

 

-2.0

0.3

2.0

nA

输入偏置电流

IIB

 

 

20

 

nA

共模抑制比

CMRR

VCM=±13V

110

140

 

dB

电源电压抑制比

PSRR

VS=±3~±20V

110

135

 

dB

开环电压增益
开环电压增益

AVD

RL≥10kΩ

110

135

 

dB

输出电压幅度

Vopp

RL≥10kΩ

±13.0

±13.7

 

V

RL≥2kΩ

±12.5

±13.5

 

电源电流(单路OP)

IS

 

 

0.65

0.80

mA


  六、应用说明
  1.输入ESD保护:
  HJ1107/HJ1207输入端内部包含有对正负电源分别接有ESD保护二极管、串接500Ω限流电阻和两输入端之间反接并联二极管。在放大脉冲信号时,如果信号dV/dt超过了放大器的转换速率(0.5 V/μs),串联电阻限制高馈通电流。如果没有这个电阻,反接并联二极管被输入信号正向偏置,产生一个流向输出端的电流,造成信号严重失真和二极管失效。在输入差动电压等于最大电源电压(40V)时,这个内部串联电阻可以防止器件损坏。
  一个输入端或两个输入端施加超过了电源电压的高压(如静电电压或电浪涌电压等),输入端外串一个1~10 kΩ电阻是非常必要的,限制通过ESD二极管的电流小于20 mA。
输入ESD二极管及保护电路
输入外接限流电阻
 
  2.工作电压范围:电源电压范围为4.5~40V或±2.25~±20V,电源对地接1~5μF钽电容。电源电压抑制比(PSRR)在工作电压范围内超过140dB,在TA=-55~+125℃全温范围内大于120 dB。在VS=±15V和全温条件下,共模抑制比(CMRR)超过130 dB。在VS=±5~±15V和TA=-55~+125℃范围内,CMRR大于120 dB。在最坏情况下,全温的共模输入电压范围是低于电源轨电压的2V。
  3.不存在输出相位倒相:一般放大器当输入电压超过电源电压时,传输函数极性会发生改变,即输出相位倒相。而HJ1107/HJ1207在输入电压超过电源电压1V时,也不会发生输出相位倒相。
  4.输出电流限制:常温下HJ1107/HJ1207内部输出电流限制约为±45mA,如果不超过耗散功率限制,能够长时间对任一一个电源短路。对于HJ1207双运放,但这仅限于一个放大器。在这种条件下连续工作,会降低器件的长期可靠性。
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