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HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

  • 分类：公司新闻
  • 作者：航晶微电子
  • 来源：
  • 发布时间：2020-05-11
  • 访问量：

航晶微电子研发的HJ393A/B/C耐温温SIC-MOSFET驱动器以其优异的耐压、导通电阻结温和抗电迁移能力，使之特别适应恶劣环境，且较好的解决了第三代SIC-MOSFET驱动器的缺陷。

 
 
 
 
 

 

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电话：029-89259995　　

传真：029-89259996

E-mail：hj@hangjingic.com

网址：www.hangjingic.com

地址：西安航天基地工业二路299号3号楼9层

 

 

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