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- 驱动持续电流(IC/A)
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- HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET
- 型号 HJ5210
- 产品概述 HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点
- 驱动持续电流(IC/A) -40
- 击穿电压(VCEO/V) -100
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:60mΩ
- 封装 （Package） TO-257
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- HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
- 型号 HJ9435
- 产品概述 HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点
- 驱动持续电流(IC/A) -5.3
- 击穿电压(VCEO/V) 36
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:80mΩ
- 封装 （Package） TO-257
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