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ca04

HJ540 NMOSFET晶体管

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管，具有非常低的导通电阻（90mΩ）和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作环境温度达到200 ℃以上。 HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装，三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的，外壳可以接任一电位，使用方便，可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。

所属分类: NMOSFET管

产品概述

　　产品特点有：

　　栅源电压 ±20V 耗散功率（TA=+25℃,加足够散热片） 10W

　　工作温度范围(TJ) -55~+200℃ 贮存温度 -55~+200℃

　　持续电流（TA=+25℃) 28A 持续电流(TA=+100℃) 20A

　　脉冲电流 110A 漏源耐压BVDS ≥100V

关键词:

hj540

外壳

驱动

基片

非常

三个

使用方便

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HJ8736 N沟道MOSFET

HJ540 NMOSFET晶体管

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产品编号

所属分类

NMOSFET管

型号:

HJ540

驱动持续电流(IC/A):

击穿电压(VCEO/V):

100

工作温度（TA）:

-55～+125

关键参数:

Ron:90mΩ

封装（Package）:

TO-257

产品概述:

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管

数量

库存:

关键词:

hj540

外壳

驱动

基片

非常

三个

使用方便

应用于

以上

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产品描述

参数

　　产品特点有：

　　栅源电压 ±20V 耗散功率（TA=+25℃,加足够散热片） 10W

　　工作温度范围(TJ) -55~+200℃ 贮存温度 -55~+200℃

　　持续电流（TA=+25℃) 28A 持续电流(TA=+100℃) 20A

　　脉冲电流 110A 漏源耐压BVDS ≥100V

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HJ540 NMOSFET晶体管

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