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HJ1200半桥SiC –MOSFET功率模块

HJ1200半桥SiC –MOSFET功率模块

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产品描述

    该电路是由SiC -MOS芯片及保护元件组成的厚膜混合集成电路,主要电参数耐压高(1200V)、耐高温(+200℃)、导通电阻小(RON80mΩ)、输出电流大等特点。

HJ1200半桥SiC MOSFET功率模块的可靠导通范围18VVGS25V,可靠关断范围-10VVGS-2V。它采用有热沉块的TO-253金属全密封外壳封装,五个引出端和外壳(散热器)分别相互绝缘,使用方便。

  (SiC是一种先进的半导体的材质,它具有类似于金刚石的硬度、数倍于Si材质的禁带宽度。载流子迁移速度、击穿电压、热导率以及耐高温特性均远优于传统硅材质。用SiC材质制作的NMOS管在高温、高压、高频、大功率、抗辐射、微波等领域得到广泛应用。)

特点

  • 耐压高(1200V              
  • 耐高温(+200℃)
  • 导通电阻小(RON80mΩ)              
  • 输出电流大(≥15A
  • 栅源击穿电压高                        
  • Tj200
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