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- 产品概述
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- HJ1407抗静电高精度低漂移低功耗四运算放大器
- 型号 HJ1407
- 产品概述 HJ1407是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。
- 电源电压 (VDD/V) 4.5V~40V
- 带宽 (GBWP/MHz) 1.5
- 工作电流 (IQ) 1.32mA
- 失调电压 (VOS) 10uV
- 偏置电流 (IIB) 0.2nA
- 压摆率 (SR) 0.5 V/us
- 工作温度 (TA) -55℃~125℃
- 封装 (Package) D14S2、F14-01
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- HJ3140 BiMOS精密运算放大器
- 型号 HJ3140
- 产品概述 HJ3140运算放大器采用BiMOS工艺制成,将高压PMOS晶体管和高压双极晶体管集成在一个芯片上。
- 电源电压 (VDD/V) ±1.5V~±18V
- 带宽 (GBWP/MHz) 4.5
- 工作电流 (IQ) 4mA
- 失调电压 (VOS) 5mV
- 偏置电流 (IIB) 10pA
- 压摆率 (SR) 9 V/us
- 工作温度 (TA) -55℃~125℃
- 封装 (Package) T-08、D08S2、F08-06
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- HJOP07极低输入失调电压运算放大器
- 型号 HJOP07
- 产品概述 HJOP07是一种低噪声、非斩波稳零的双极性运算放大器。通过在晶圆阶段微调,HJOP07可以得到非常低的输入失调电压,使用过程中不需要额外的调零措施。
- 电源电压 (VDD/V) ±1.5V~±22V
- 带宽 (GBWP/MHz) 0.4
- 工作电流 (IQ) 2.5mA
- 失调电压 (VOS) 10uV
- 偏置电流 (IIB) ±0.7nA
- 压摆率 (SR) 0.1 V/us
- 工作温度 (TA) -55℃~125℃
- 封装 (Package) J08S2 CSOP08B T-08 F08-06
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- HJ1207抗静电高精度低漂移低功耗双运算放大器
- 型号 HJ1207
- 产品概述 HJ1207是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。
- 电源电压 (VDD/V) 4.5V~40V
- 带宽 (GBWP/MHz) 1.5
- 工作电流 (IQ) 0.88mA
- 失调电压 (VOS) 10uV
- 偏置电流 (IIB) 0.2nA
- 压摆率 (SR) 0.5 V/us
- 工作温度 (TA) -55℃~125℃
- 封装 (Package) T-08、D08S2、F08-06
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- HJ1107抗静电高精度低漂移低功耗 单运算放大器
- 型号 HJ1107
- 产品概述 HJ1107是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。
- 电源电压 (VDD/V) 4.5V~40V
- 带宽 (GBWP/MHz) 1.5
- 工作电流 (IQ) 0.44mA
- 失调电压 (VOS) 10uV
- 偏置电流 (IIB) 0.2nA
- 压摆率 (SR) 0.5 V/us
- 工作温度 (TA) -55℃~125℃
- 封装 (Package) T-08、D08S2、F08-06
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- HJOP207高精度运放
- 型号 HJOP207
- 产品概述 范围大、噪声低、高精度
- 电源电压 (VDD/V) 4.5V~42V
- 带宽 (GBWP/MHz) 1.5
- 工作电流 (IQ) 0.65mA
- 失调电压 (VOS) 100uV
- 偏置电流 (IIB) 0.3nA
- 压摆率 (SR) 0.2V/us
- 工作温度 (TA) -55℃~200℃
- 封装 (Package) F08-06
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