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HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器
HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器，内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器，实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC（+13V～+20 V）正电源电压和VEE（-3V～-6V）负电源电压。根据输入PWM信号频率的不同，分为A、B、C三挡。
HJ393A能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号；
HJ393B能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号；
HJ393C能将最大1MHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号。
由于超宽的禁带能级，使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小，故为了达到额定的ID电流，那么需要的栅源电压要大一些。另外，为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断，以及减小SiC-MOSFET的密勒效应，保证高温下输入低电平的噪声容限，SiC MOS管需要一个负偏压关断，这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS管/IGBT管栅极驱动的要求，确保SiC-MOS管/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A，且具有较高的隔离度和抗扰度，确保在高频PWM信号和高电压的情况下电路可靠工作。
所属分类: MOSFET驱动
产品概述
主要特点有：
自带DC/DC隔离电源，系统只需要提供数字5V即可1800VDC峰值隔离
高共模瞬变抑制：CMTI≥50KV/μS最高工作温度可达200℃
能实现IGBT管/SiC-MOS管的负电压关断输入输出信号隔离
充放电时间快，延迟时间短：（tr、tf≤50nS）0-100%占空比应用,适合高压大功率开关应用
最高工作频率HJ393A:500KHz;HJ393B:800KHz;HJ393C:1MHz
瞬态峰值驱动电流HJ393A：±9A;HJ393B：-2.5A/+5A;J393C:±1.5A
关键词:
igbt
隔离
hj393b
hj393a
应用
峰值
最高
dc
充放电
频率
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