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驱动器
具有冗余容错设计以消除单点故障模式、高压大电流驱动能力、耐高温等特色。
    • 商品图片
    • 产品名称
    • 型号
    • 产品概述
    • 驱动持续电流(IC/A)
    • 击穿电压(VCEO/V)
    • 工作温度 (TA)
    • 关键参数
    • 封装 (Package)
    • 附件
    • HJ5210  高温P-沟道增强型功率MOSFET
    • HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET
    • 型号 HJ5210
    • 产品概述 HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点
    • 驱动持续电流(IC/A) -40
    • 击穿电压(VCEO/V) -100
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 Ron:60mΩ
    • 封装 (Package) TO-257
    • HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
    • HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
    • 型号 HJ9435
    • 产品概述 HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点
    • 驱动持续电流(IC/A) -5.3
    • 击穿电压(VCEO/V) 36
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 Ron:80mΩ
    • 封装 (Package) TO-257
    • HJ1200-080 Sic MOSFET
    • HJ1200-080 Sic MOSFET
    • 型号 HJ1200-080
    • 产品概述 HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。
    • 驱动持续电流(IC/A) 25
    • 击穿电压(VCEO/V) 1200
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 Ron:80mΩ
    • 封装 (Package) TO-258
    • HJ540  NMOSFET晶体管
    • HJ540 NMOSFET晶体管
    • 型号 HJ540
    • 产品概述 HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管
    • 驱动持续电流(IC/A) 28
    • 击穿电压(VCEO/V) 100
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 Ron:90mΩ
    • 封装 (Package) TO-257
    • HJ8736 N沟道MOSFET
    • HJ8736 N沟道MOSFET
    • 型号 HJ8736
    • 产品概述 HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点
    • 驱动持续电流(IC/A) 18
    • 击穿电压(VCEO/V) 65
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 Ron:0.2mΩ
    • 封装 (Package) CSOP08B
    • HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关
    • HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关
    • 型号 HJ190KT
    • 产品概述 该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容,可直接代换使用。
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.2
    • 击穿电压(VCEO/V) -45
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 Ron:50Ω
    • 封装 (Package) F14-01C
    • HJ622A /MXT622A  PNP三极管阵列
    • HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列
    • 型号 HJ622A
    • 产品概述 HJ622A / MXT622A是三极管阵列集成电路
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.4
    • 击穿电压(VCEO/V) -45
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:200MHz
    • 封装 (Package) F14-01B
    • HJ198P高温五PNP三极管阵列
    • HJ198P高温五PNP三极管阵列
    • 型号 HJ198P
    • 产品概述 HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.4
    • 击穿电压(VCEO/V) 45
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:200MHz
    • 封装 (Package) F16-01C
    • HJ251A/MXT251A  NPN三极管阵列
    • HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列
    • 型号 HJ251A
    • 产品概述 HJ251A/ MXT251A是三极管阵列集成电路
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.4
    • 击穿电压(VCEO/V) 50
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:250MHz
    • 封装 (Package) F14-01B
    • HJ2803J大电流八达林顿阵列
    • HJ2803J大电流八达林顿阵列
    • 型号 HJ2803J
    • 产品概述 HJ2803J是高压大电流达林顿阵列,由八个共发射极达林顿管组成。
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.5
    • 击穿电压(VCEO/V) 50
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 IOD:50μA
    • 封装 (Package) J18S2、CSOP18-02
    • HJ2004七达林顿阵列
    • HJ2004七达林顿阵列
    • 型号 HJ2004
    • 产品概述 HJ2004是高压大电流达林顿阵列,由七个共发射极的达林顿管组成。
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.3
    • 击穿电压(VCEO/V) 50
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 IOD:50μA
    • 封装 (Package) J16S2、H16-02、F16-01
    • HJ2003七达林顿阵列
    • HJ2003七达林顿阵列
    • 型号 HJ2003
    • 产品概述 HJ2003是高压大电流达林顿阵列,由七个共发射极的达林顿管组成。
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.3
    • 击穿电压(VCEO/V) 50
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 IOD:50μA
    • 封装 (Package) J16S2、H16-02、F16-01
    • HJ569高温四路磁保持继电器驱动电路
    • HJ569高温四路磁保持继电器驱动电路
    • 型号 HJ569
    • 产品概述 HJ569是一款四路磁保持继电器驱动电路
    • 驱动持续电流(IC/A) 1
    • 击穿电压(VCEO/V) 75
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 VO(SAT):0.15V
    • 封装 (Package) F14-02
    • HJ169四路双冗余输出驱动电路
    • HJ169四路双冗余输出驱动电路
    • 型号 HJ169
    • 产品概述 HJ169用于发送指令的输出电路,能够驱动继电器或大电流感性负载。
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.2
    • 击穿电压(VCEO/V) 50
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 VCE(SAT):0.3V IOD:20μA
    • 封装 (Package) MP-14b
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