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HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点，可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序，DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210，且该产品已实现全国产化。

所属分类: PMOSFET管

产品概述

　　栅源电压VGS±20V漏源电压VDS-100V

　　持续电流ID（TA=+25℃)-40A耗散功率PD（TA=+25℃）200W

　　(TA=+100℃)-29A脉冲电流能力IDM-140A

　　工作温度范围TA-55~+175℃贮存温度TJ-55~+175℃

关键词:

驱动

开关

功率

电信

使用

替代

应用于

速度快

照明设备

继电器

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HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET

HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET

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产品编号

所属分类

PMOSFET管

型号:

HJ5210

驱动持续电流(IC/A):

-40

击穿电压(VCEO/V):

-100

工作温度（TA）:

-55～+125

关键参数:

Ron:60mΩ

封装（Package）:

TO-257

产品概述:

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点

数量

库存:

关键词:

驱动

开关

功率

电信

使用

替代

应用于

速度快

照明设备

继电器

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产品描述

参数

　　栅源电压VGS±20V漏源电压VDS-100V

　　持续电流ID（TA=+25℃)-40A耗散功率PD（TA=+25℃）200W

　　(TA=+100℃)-29A脉冲电流能力IDM-140A

　　工作温度范围TA-55~+175℃贮存温度TJ-55~+175℃

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HJ78××系列稳压器是一种有广泛用途的三端稳压器。它有若干种固定输出电压，输出电流可达1.5A，可直接用于各种电子设备做正电压稳定器。外接元件少。它内部设置有过流保护、芯片过热保护及调整管安全工作区保护电路，电路使用安全可靠。该器件采用TO-257金属全密封封装，适用于军工电子系统中，空腔封装，内充保护气体，适用宽的温度范围，耐温度冲击性能好，便于安装和固定，可直接固定在机壳上，体积小，节约安装空间。该器件主要应用于要求体积小、可靠性高、温度范围宽的军用电子系统中。尤其适用于环境温度和负载电流剧烈变化的场合。

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