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HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET
HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点，可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序，DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210，且该产品已实现全国产化。
所属分类: PMOSFET管
产品概述
产品特点有：
栅源电压VGS ±20V 漏源电压VDS -100V
持续电流ID（TA=+25℃) -40A 耗散功率PD（TA=+25℃） 200W
(TA=+100℃) -29A 脉冲电流能力IDM -140A
工作温度范围TA -55~+175℃ 贮存温度TJ -55~+175℃
关键词:
驱动
开关
功率
电信
使用
替代
应用于
速度快
照明设备
继电器
上一个
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