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HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序,DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210,且该产品已实现全国产化。

所属分类: PMOSFET管



产品概述

  栅源电压VGS±20V漏源电压VDS-100V

  持续电流ID(TA=+25℃)-40A耗散功率PD(TA=+25℃)200W

  (TA=+100℃)-29A脉冲电流能力IDM-140A

  工作温度范围TA-55~+175℃贮存温度TJ-55~+175℃

关键词:
驱动
开关
功率
电信
使用
替代
应用于
速度快
照明设备
继电器


HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序,DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210,且该产品已实现全国产化。
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产品编号
所属分类
PMOSFET管
型号:
HJ5210
驱动持续电流(IC/A):
-40
击穿电压(VCEO/V):
-100
工作温度 (TA):
-55~+125
关键参数:
Ron:60mΩ
封装 (Package):
TO-257
产品概述:

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点

数量
-
+
库存:
0
关键词:
驱动
开关
功率
电信
使用
替代
应用于
速度快
照明设备
继电器
1
产品描述
参数

  栅源电压VGS±20V漏源电压VDS-100V

  持续电流ID(TA=+25℃)-40A耗散功率PD(TA=+25℃)200W

  (TA=+100℃)-29A脉冲电流能力IDM-140A

  工作温度范围TA-55~+175℃贮存温度TJ-55~+175℃

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HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET
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