HJ1200-080 HJ1200-080

HJ1200-080 Sic MOSFET

HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。Sic是一种先进的半导体的材质,它具有类似于金刚石的硬度、数倍于Si材质的禁带宽度。载流子迁移速度、击穿电压、热导率以及耐高温特性均远优于传统硅材质。用Sic材质制作的NMOS管在高温、高压、高频、大功率、抗辐射、微波等领域得到广泛应用。在石油探测领域主要用于电机驱动、高温BUCK型DC//DC电源、高频发射等方面。 由于超宽的禁带能级,使得用Sic材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断,保证高温下输入低电平的噪声容限,Sic MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。HJ1200-080的可靠导通范围18V≤VGS≤25V,可靠关断范围-10V≤VGS≤-2V。它采用有热沉块的TO-258金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)分别相互绝缘,使用方便。

所属分类: NMOSFET管



产品概述

  产品特点有:

  输入电容小,可实现高速开关耐压高(≥1200V)

  导通电阻小(RON≤80mΩ)输出电流大(≥35A,∞散热器)

  可直接并联使用无闩锁效应

  栅源击穿电压高Tj≥200℃

 

关键词:
hj1200-080
电流
输入
使用
闩锁效应
其主要
电阻
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HJ1200-080 Sic MOSFET

HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。Sic是一种先进的半导体的材质,它具有类似于金刚石的硬度、数倍于Si材质的禁带宽度。载流子迁移速度、击穿电压、热导率以及耐高温特性均远优于传统硅材质。用Sic材质制作的NMOS管在高温、高压、高频、大功率、抗辐射、微波等领域得到广泛应用。在石油探测领域主要用于电机驱动、高温BUCK型DC//DC电源、高频发射等方面。 由于超宽的禁带能级,使得用Sic材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断,保证高温下输入低电平的噪声容限,Sic MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。HJ1200-080的可靠导通范围18V≤VGS≤25V,可靠关断范围-10V≤VGS≤-2V。它采用有热沉块的TO-258金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)分别相互绝缘,使用方便。
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产品编号
所属分类
NMOSFET管
型号:
HJ1200-080
驱动持续电流(IC/A):
25
击穿电压(VCEO/V):
1200
工作温度 (TA):
-55~+125
关键参数:
Ron:80mΩ
封装 (Package):
TO-258
产品概述:

HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。

数量
-
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库存:
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关键词:
hj1200-080
电流
输入
使用
闩锁效应
其主要
电阻
可直接
电容
特点
1
产品描述
参数

  产品特点有:

  输入电容小,可实现高速开关耐压高(≥1200V)

  导通电阻小(RON≤80mΩ)输出电流大(≥35A,∞散热器)

  可直接并联使用无闩锁效应

  栅源击穿电压高Tj≥200℃

 

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HJ1200-080 Sic MOSFET
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