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HJ540 NMOSFET晶体管

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管,具有非常低的导通电阻(90mΩ)和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作环境温度达到200 ℃以上。 HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的,外壳可以接任一电位,使用方便,可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。

所属分类: NMOSFET管



产品概述

  主要特点有:

  栅源电压±20V耗散功率(TA=+25℃,加足够散热片)10W

  工作温度范围(TJ)-55~+200℃贮存温度-55~+200℃

  持续电流(TA=+25℃)28A持续电流(TA=+100℃)20A

  脉冲电流110A漏源耐压BVDS≥100V

关键词:
hj540
外壳
驱动
基片
非常
三个
使用方便
应用于
以上


HJ540 NMOSFET晶体管

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管,具有非常低的导通电阻(90mΩ)和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作环境温度达到200 ℃以上。 HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的,外壳可以接任一电位,使用方便,可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。
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产品编号
所属分类
NMOSFET管
型号:
HJ540
驱动持续电流(IC/A):
28
击穿电压(VCEO/V):
100
工作温度 (TA):
-55~+125
关键参数:
Ron:90mΩ
封装 (Package):
TO-257
产品概述:

HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管

数量
-
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库存:
0
关键词:
hj540
外壳
驱动
基片
非常
三个
使用方便
应用于
以上
1
产品描述
参数

  主要特点有:

  栅源电压±20V耗散功率(TA=+25℃,加足够散热片)10W

  工作温度范围(TJ)-55~+200℃贮存温度-55~+200℃

  持续电流(TA=+25℃)28A持续电流(TA=+100℃)20A

  脉冲电流110A漏源耐压BVDS≥100V

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