104 HJ198P 104 HJ198P

HJ198P高温五PNP三极管阵列

HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中,两个三极管通过内部引线连接形成差分对管,它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用,也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片,确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度(通道绝缘电阻大于十的十次方欧姆)。该电路采用了14线陶瓷扁平封装,工作温度范围为-55~ +200℃,可与198HT5/198HT6/198HT7/198HT8互相代换。

所属分类: 冗余驱动



产品概述

  主要特点有:

  单管耐压BVCEO-50V单管驱动电流IEM 400mA

  工作温度范围-55~+200℃耗散功率600mW

  贮存温度-55~+200℃

 

关键词:
阵列
使用
通道
晶体管
性能
良好
匹配
大于
分立


HJ198P高温五PNP三极管阵列

HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中,两个三极管通过内部引线连接形成差分对管,它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用,也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片,确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度(通道绝缘电阻大于十的十次方欧姆)。该电路采用了14线陶瓷扁平封装,工作温度范围为-55~ +200℃,可与198HT5/198HT6/198HT7/198HT8互相代换。
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1000
产品编号
所属分类
冗余驱动
型号:
HJ198P
驱动持续电流(IC/A):
0.4
击穿电压(VCEO/V):
45
工作温度 (TA):
-55~+125
关键参数:
fT:200MHz
封装 (Package):
F16-01C
产品概述:

HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。

数量
-
+
库存:
0
关键词:
阵列
使用
通道
晶体管
性能
良好
匹配
大于
分立
1
产品描述
参数

  主要特点有:

  单管耐压BVCEO-50V单管驱动电流IEM 400mA

  工作温度范围-55~+200℃耗散功率600mW

  贮存温度-55~+200℃

 

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HJ198P高温五PNP三极管阵列
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