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HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

HJ190KT2/ MXT190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、导通时间短等特点，可广泛应用于电平转换、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。

所属分类: 冗余驱动



产品概述

       主要特点有：

　　漏-源击穿电压   BVDS-45V

　　工作温度范围   -55~+125℃

　　耗散功率    600mW

　　结温   +175℃

　　采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装

关键词:
mxt190kt2
范围
hj190kt2
输入阻抗
抗干扰
电阻
漏电
特点
能力强


上一个
无
下一个
HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列

HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关

HJ190KT2/ MXT190KT2四路PMOS开关具有输入阻抗高、抗干扰能力强、工作电压范围宽、漏电小、导通电阻低、导通时间短等特点，可广泛应用于电平转换、开关驱动、逻辑选通等电路中。该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。
零售价
0.0
元
市场价
0.0
元
浏览量:
1000
产品编号
所属分类
冗余驱动
型号:
HJ190KT
驱动持续电流(IC/A):
0.2
击穿电压(VCEO/V):
-45
工作温度 （TA）:
-55～+125
关键参数:
Ron:50Ω
封装 （Package）:
F14-01C
产品概述:

该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。

数量
-
+
库存:
0
关键词:
mxt190kt2
范围
hj190kt2
输入阻抗
抗干扰
电阻
漏电
特点
能力强
1
产品描述
参数

       主要特点有：

　　漏-源击穿电压   BVDS-45V

　　工作温度范围   -55~+125℃

　　耗散功率    600mW

　　结温   +175℃

　　采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装

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无
下一个
HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列
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HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关
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