产品&服务
- 商品图片
- 产品名称
- 型号
- 产品概述
- 驱动持续电流(IC/A)
- 击穿电压(VCEO/V)
- 工作温度 （TA）
- 关键参数
- 封装 （Package）
- 附件
-
- HJ5210 高温P-沟道增强型功率MOSFET
- 型号 HJ5210
- 产品概述 HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点
- 驱动持续电流(IC/A) -40
- 击穿电压(VCEO/V) -100
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:60mΩ
- 封装 （Package） TO-257
-
- HJ9435高温P-沟增强型功率MOSFET
- 型号 HJ9435
- 产品概述 HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点
- 驱动持续电流(IC/A) -5.3
- 击穿电压(VCEO/V) 36
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:80mΩ
- 封装 （Package） TO-257
-
- HJ1200-080 Sic MOSFET
- 型号 HJ1200-080
- 产品概述 HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。
- 驱动持续电流(IC/A) 25
- 击穿电压(VCEO/V) 1200
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:80mΩ
- 封装 （Package） TO-258
-
- HJ540 NMOSFET晶体管
- 型号 HJ540
- 产品概述 HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管
- 驱动持续电流(IC/A) 28
- 击穿电压(VCEO/V) 100
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:90mΩ
- 封装 （Package） TO-257
-
- HJ8736 N沟道MOSFET
- 型号 HJ8736
- 产品概述 HJ8736具有导通电阻低、电流能力强特点
- 驱动持续电流(IC/A) 18
- 击穿电压(VCEO/V) 65
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:0.2mΩ
- 封装 （Package） CSOP08B
-
- HJ190KT2/MXT190KT2四路PMOS开关
- 型号 HJ190KT
- 产品概述 该电路与俄罗斯190KT2电路完全兼容，可直接代换使用。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.2
- 击穿电压(VCEO/V) -45
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 Ron:50Ω
- 封装 （Package） F14-01C
-
- HJ622A /MXT622A PNP三极管阵列
- 型号 HJ622A
- 产品概述 HJ622A / MXT622A是三极管阵列集成电路
- 驱动持续电流(IC/A) 0.4
- 击穿电压(VCEO/V) -45
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 fT:200MHz
- 封装 （Package） F14-01B
-
- HJ198P高温五PNP三极管阵列
- 型号 HJ198P
- 产品概述 HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.4
- 击穿电压(VCEO/V) 45
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 fT:200MHz
- 封装 （Package） F16-01C
-
- HJ251A/MXT251A NPN三极管阵列
- 型号 HJ251A
- 产品概述 HJ251A/ MXT251A是三极管阵列集成电路
- 驱动持续电流(IC/A) 0.4
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 fT:250MHz
- 封装 （Package） F14-01B
-
- HJ2803J大电流八达林顿阵列
- 型号 HJ2803J
- 产品概述 HJ2803J是高压大电流达林顿阵列，由八个共发射极达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.5
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） J18S2、CSOP18-02
-
- HJ2004七达林顿阵列
- 型号 HJ2004
- 产品概述 HJ2004是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.3
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） J16S2、H16-02、F16-01
-
- HJ2003七达林顿阵列
- 型号 HJ2003
- 产品概述 HJ2003是高压大电流达林顿阵列，由七个共发射极的达林顿管组成。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.3
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） J16S2、H16-02、F16-01
-
- HJ569高温四路磁保持继电器驱动电路
- 型号 HJ569
- 产品概述 HJ569是一款四路磁保持继电器驱动电路
- 驱动持续电流(IC/A) 1
- 击穿电压(VCEO/V) 75
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 VO(SAT):0.15V
- 封装 （Package） F14-02
-
- HJ269A/ HJ269B/ HJ269C/ HJ269D 四路双冗余输出驱动电路
- 型号 HJ269
- 产品概述 HJ269用于发送指令的输出电路，能够驱动继电器或大电流感性负载。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.2
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 IOD:50μA
- 封装 （Package） HD14-02A
-
- HJ169四路双冗余输出驱动电路
- 型号 HJ169
- 产品概述 HJ169用于发送指令的输出电路，能够驱动继电器或大电流感性负载。
- 驱动持续电流(IC/A) 0.2
- 击穿电压(VCEO/V) 50
- 工作温度 （TA） -55～+125
- 关键参数 VCE(SAT):0.3V IOD:20μA
- 封装 （Package） MP-14b
上一页
1
2
3
下一页
企业留言
客户留言
描述：
微信公众号
COPYRIGHT © 2022 陕西航晶微电子有限公司 版权所有 陕ICP备19019842号-1 网站建设：中企动力·西安 SEO标签
搜索
TOP