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驱动器
具有冗余容错设计以消除单点故障模式、高压大电流驱动能力、耐高温等特色。
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    • 产品名称
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    • 产品概述
    • 驱动持续电流(IC/A)
    • 击穿电压(VCEO/V)
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    • HJ722NPN/HJ727PNP高温达林顿晶体管
    • HJ722NPN/HJ727PNP高温达林顿晶体管
    • 型号 HJ722
    • 产品概述 HJ722是NPN型高温中功率达林顿晶体管。
    • 驱动持续电流(IC/A) 5
    • 击穿电压(VCEO/V) 100
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 VCE(SAT):2V
    • 封装 (Package) TO-257
    • HJ2SD718(NPN)双极性晶体管
    • HJ2SD718(NPN)双极性晶体管
    • 型号 HJ2SD718
    • 产品概述 HJ2SD718(NPN)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等
    • 驱动持续电流(IC/A) 0.5
    • 击穿电压(VCEO/V) 120
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:10MHz
    • 封装 (Package) B-3D
    • HJBD137(NPN)小信号放大器晶体管
    • HJBD137(NPN)小信号放大器晶体管
    • 型号 HJBD137
    • 产品概述 HJBD137(NPN)/HJBD138(PNP)是小信号放大器晶体管
    • 驱动持续电流(IC/A) 2
    • 击穿电压(VCEO/V) 60
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:60MHz
    • 封装 (Package) B-3D、TO-46
    • HJ41C(NPN)低频大功率晶体管
    • HJ41C(NPN)低频大功率晶体管
    • 型号 HJ41C
    • 产品概述 HJ41C(NPN)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等
    • 驱动持续电流(IC/A) 6
    • 击穿电压(VCEO/V) 100
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:3MHz
    • 封装 (Package) F1
    • HJ3DD4C(NPN)低频大功率晶体管
    • HJ3DD4C(NPN)低频大功率晶体管
    • 型号 HJ3DD4C
    • 产品概述 HJ3DD4C(NPN)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等
    • 驱动持续电流(IC/A) 3
    • 击穿电压(VCEO/V) 150
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:28MHz
    • 封装 (Package) F1
    • HJ2XN203(NPN)/ HJ2XP203(PNP)低频大功率晶体管
    • HJ2XN203(NPN)/ HJ2XP203(PNP)低频大功率晶体管
    • 型号 HJ2XN203
    • 产品概述 HJ2XN203(NPN)/ HJ2XP203(PNP)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等
    • 驱动持续电流(IC/A) 1.5
    • 击穿电压(VCEO/V) 230
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:10MHz
    • 封装 (Package) F1
    • HJ2SD2396功率晶体管
    • HJ2SD2396功率晶体管
    • 型号 HJ2SD2396
    • 产品概述 HJ2SD2396是NPN型功率晶体管
    • 驱动持续电流(IC/A) 6
    • 击穿电压(VCEO/V) 60
    • 工作温度 (TA) -55~+125
    • 关键参数 fT:5MHz
    • 封装 (Package) TO-257
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